[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个鳍片，在衬底上沿第一方向延伸；

顶栅极，沿第二方向延伸并且包围了每个鳍片的顶部和侧面；

源漏区，位于顶栅极两侧的鳍片上；

沟道区，位于源漏区之间；

体栅极，位于多个鳍片之间并且位于顶栅极下方，沿第二方向延伸，体栅极的顶部低于多个鳍片的顶部。

2.如权利要求1的半导体器件，其中，体栅极与衬底之间具有体栅极绝缘层以及第一绝缘隔离层。

3.如权利要求2的半导体器件，其中，体栅极与顶栅极之间具有第二绝缘隔离层以及顶栅极绝缘层。

4.如权利要求2或3的半导体器件，其中，第一和/或第二绝缘隔离层包括氧化硅或者氮氧化硅。

5.如权利要求3的半导体器件，其中，第一绝缘隔离层厚度为20～60nm，第二绝缘隔离层厚度为10～20nm。

6.如权利要求1的半导体器件，其中，顶栅极和/或体栅极包括掺杂多晶硅、掺杂多晶锗硅、或金属。

7.如权利要求2或3的半导体器件，其中，体和/或顶栅极绝缘层包括高k材料。

8.如权利要求1的半导体器件，其中，顶栅极包括功函数调节层和电阻调节层。

9.如权利要求1的半导体器件，其中，源漏区和/或顶栅极上具有金属硅化物。

10.如权利要求9的半导体器件，其中，半导体器件上还具有层间介质层，接触塞分别穿过层间介质层与源漏区上的金属硅化物、顶栅极上的金属硅化物、以及体栅极电连接。

11.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底上形成多个鳍片和沟槽，沿第一方向延伸；

在沟槽中沉积第一绝缘隔离层；

在第一绝缘隔离层上形成体栅极层，图案化形成体栅极，沿第二方向延伸，体栅极的顶部低于多个鳍片的顶部；

在体栅极层和体栅极上沉积第二绝缘隔离层；

在第二绝缘隔离层以及鳍片上形成顶栅极，沿第二方向延伸，包围了每个鳍片的顶部和侧面。

12.如权利要求11的半导体器件制造方法，其中，形成顶栅极之后进一步包括：在沿第一方向的顶栅极两侧的鳍片中形成源漏区，在沿第一方向的顶栅极两侧形成顶栅极侧墙。

13.如权利要求12的半导体器件制造方法，其中，形成源漏区之后进一步包括：在顶栅极以及源漏区上形成金属硅化物。

14.如权利要求13的半导体器件制造方法，其中，形成金属硅化物之后进一步包括：在器件上形成层间介质层；刻蚀层间介质层，形成接触孔，分别暴露顶栅极、源漏区、体栅极；在接触孔中沉积金属形成接触塞。

15.如权利要求11的半导体器件制造方法，其中，第一和/或第二绝缘隔离层包括氧化硅或者氮氧化硅。

16.如权利要求11的半导体器件制造方法，其中，第一绝缘隔离层厚度为20～60nm，第二绝缘隔离层厚度为10～20nm。

17.如权利要求11的半导体器件制造方法，其中，形成第一绝缘隔离层之后还包括在沟槽中以及鳍片上形成体栅极绝缘层，形成第二绝缘隔离层之后还包括在沟槽中以及鳍片上形成顶栅极绝缘层。

18.如权利要求17的半导体器件制造方法，其中，体和/或顶栅极绝缘层包括高k材料。

19.如权利要求11的半导体器件制造方法，其中，顶栅极包括功函数调节层和电阻调节层。

20.如权利要求11的半导体器件制造方法，其中，顶栅极和/或体栅极包括掺杂多晶硅、掺杂多晶锗硅、或金属。