[发明专利]一种制备氮化硅泡沫陶瓷的方法有效
申请号: | 201210441842.1 | 申请日: | 2012-11-08 |
公开(公告)号: | CN103224405A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 余娟丽;杨金龙;吕毅;张天翔;赵英民;曾庆川;王涛;浑丙利;余悠然 | 申请(专利权)人: | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
主分类号: | C04B38/02 | 分类号: | C04B38/02;C04B35/584;C04B35/622 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 氮化 泡沫 陶瓷 方法 | ||
1.一种制备氮化硅泡沫陶瓷的方法,其特征在于通过以下步骤实现:
第一步,配料,
在质量为x的氮化硅粉体中加入(3%~10%)x的烧结助剂、(0.5%~1.5%)x的分散剂、(10%~20%)x的溶液浓度为2%~4%的羧甲基纤维素水溶液以及(1%~4%)x的起泡剂,得到氮化硅粉料混合物;
第二步,在第一步得到的氮化硅粉料混合物中按氮化硅粉料混合物总质量的100%~200%加入去离子水得到混料;
第三步,调节第二步得到混料的pH值,调节后的混料pH值为9~11,将混料球磨后得到浆料;
第四步,发泡成型固化得到氮化硅泡沫陶瓷坯体;
第五步,烧结,
将第四步排胶后的氮化硅泡沫陶瓷坯体在氮气气氛下进行常压烧结,得到氮化硅泡沫陶瓷。
2.根据权利要求1所述的一种制备氮化硅泡沫陶瓷的方法,其特征在于:所述第五步烧结过程分阶段进行:800℃以下升温速率为15±1℃/min,气氛为真空,800℃以上升温速率为10±1℃/min升至烧结温度,烧结温度为1600℃~1850℃,气氛为氮气,保温1.5~3h。
3.根据权利要求1所述的一种制备氮化硅泡沫陶瓷的方法,其特征在于:所述第一步中氮化硅粉体平均粒径为1.0μm,α相含量>94%。
4.根据权利要求1所述的一种制备氮化硅泡沫陶瓷的方法,其特征在于:所述第一步中起泡剂为短链两亲分子没食子酸正丙酯。
5.根据权利要求1所述的一种制备氮化硅泡沫陶瓷的方法,其特征在于:所述第一步中烧结助剂为Y2O3-Al2O3体系,两者的质量比为Y2O3∶Al2O3=1~2.5∶1。
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