[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制造方法有效
申请号: | 201210442111.9 | 申请日: | 2012-11-07 |
公开(公告)号: | CN103578756B | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 黄锡俊;金帝中 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/005;H01G4/30 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 金光军,刘奕晴 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 陶瓷 电子元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层陶瓷电子元件,该多层陶瓷电子元件包括:
多层主体,该多层主体包括堆叠于其中的多个介电层;
多个第一和第二内部电极,该多个第一和第二内部电极形成在所述介电层上以便通过端表面交替地暴露;
最小边缘指示部分,该最小边缘指示部分形成在L方向边缘部分上并且指示所述L方向边缘部分的最小尺寸,在该L方向边缘部分上所述第一或第二内部电极没有形成在所述介电层上,并且
其中,所述最小边缘指示部分的长度比所述L方向边缘部分的长度短,并且
其中,所述最小边缘指示部分与所述多层主体的末端分离,以使得所述最小边缘指示部分被布置在所述多层主体之内。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述多层主体的芯片具有1608-标准尺寸或更小的尺寸,其中,所述1608-标准尺寸为1.6mm×0.8mm×0.8mm。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述最小边缘指示部分的长度等于或者大于10μm。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,以100到1000的数量设置堆叠的介电层。
5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述多个第一和第二内部电极包含导电金属,所述导电金属是银(Ag)、铅(Pb)、铂(Pt)、镍(Ni)和铜(Cu)中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,形成所述介电层的原料是钛酸钡(BaTiO3)。
7.一种多层陶瓷电子元件的制造方法,该制造方法包括:
制备陶瓷生片,该陶瓷生片包括介电层;
通过使用导电胶在所述陶瓷生片上形成内部电极图样,该导电胶用于包括导电金属粉粒和陶瓷粉粒的内部电极;以及
堆叠并烧结具有在其上形成的内部电极图样的所述陶瓷生片来形成陶瓷主体,该陶瓷主体包括多个彼此相对设置的内部电极,使得所述介电层插入在所述内部电极之间;
多个所述内部电极图样通过向该内部电极图样插入指示L方向边缘部分的最小尺寸的最小边缘指示部分而形成,从而堆叠和烧结所述陶瓷生片,并且
其中,所述最小边缘指示部分的长度比所述L方向边缘部分的长度短,并且
其中,所述最小边缘指示部分与所述陶瓷主体的末端分离,以使得所述最小边缘指示部分被布置在所述陶瓷主体之内。
8.根据权利要求7所述的制造方法,其中,所述陶瓷主体的芯片具有1608-标准尺寸或更小的尺寸,其中,所述1608-标准尺寸为1.6mm×0.8mm×0.8mm。
9.根据权利要求7所述的制造方法,其中,所述最小边缘指示部分的长度等于或大于10μm。
10.根据权利要求7所述的制造方法,其中,以100到1000的数量设置堆叠的介电层。
11.根据权利要求7所述的制造方法,其中,所述导电金属粉粒是银(Ag)、铅(Pb)、铂(Pt)、镍(Ni)和铜(Cu)中的至少一种。
12.根据权利要求7所述的制造方法,其中,形成所述介电层的原料是钛酸钡(BaTiO3)。
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