[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2012年8月7日提交的申请号为10-2012-0086210的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及一种具有高电容和良好可靠性的多层陶瓷电子元件及其制造方法，更具体地，涉及一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件中的被切割芯片的L方向边缘对肉眼可见，由此可以使有缺陷的芯片容易地被检测到。

背景技术

依照目前电子产品小型化测趋势，对具有小尺寸和高电容的多层陶瓷电子元件的需求增长。

因此，介电层和内部电极通过各种方法被做薄并且以增加的数量堆叠。近来，随着介电层的厚度被降低，具有增加数量的堆叠层的多层陶瓷电子元件被制造。

在多层陶瓷电容器(MLCC)结构中，L方向或者W方向上的边缘用于保护内部电极的多层结构部分在充电和放电中不受电应力、潮湿和电镀液等的影响。因此，相对最小的边缘需要被保障，以确保耐用性，以及在L方向或者W方向的边缘不足的情况下，会导致缺陷。

在根据现有技术制造MLCC的过程中，由于绿色芯片被切割并且其边缘在W方向被确定，在切割所述被切割芯片之前边缘测试被执行用来检测有缺陷的芯片，如此最小的W边缘可以被保证，但是在L方向上的边缘的情况下，由于其边缘存在于被切割芯片的内部，所以边缘不能得以确认。

因此，事实上，在高温或者高湿度条件下的电力负荷测试中，所述L方向上的边缘(与第一外部电极和第二外部电极相连的内部电极间的距离，该第二外部电极具有与所述第一外部电极的极性相反的极性)是非常小的，例如在绝缘电阻(IR)恶化或者在有缺陷的芯片内时几微米，从而导致IR恶化。为了减少这些缺陷，可以确保L方向上的相对最小的边缘。

[相关技术文献]

韩国专利公开出版物，公开号2012-0058128

发明内容

本发明一方面提供了一种具有高电容的多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件能够具有减少的缺陷和良好的可靠性。

根据本发明的一方面，提供一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：多层主体，多个介电层堆叠于其中；多个第一和第二内部电极，在介电层上形成以便通过端面交替地暴露；最小边缘指示部分，该最小边缘指示部分形成于L方向的边缘部分上并且指示L方向边缘部分的最小尺寸，在该L方向边缘部分上所述第一或者第二内部电极没有形成于所述介电层上。

所述L方向上的最小边缘指示部分的尺寸可以小于或者等于L方向边缘部分的尺寸。

所述多层主体的芯片可以具有1608-标准尺寸(1.6mm×0.8mm×0.8mm)或者更小的尺寸。

所述最小边缘指示部分的尺寸可以是10μm或者更大。

可以以100到1000的数量设置堆叠的介电层。

一种导电金属，该导电金属可以是银(Ag)、铅(Pb)、铂(Pt)、镍(Ni)和铜(Cu)中的至少一种。

所述陶瓷可以是钛酸钡(BaTiO₃)。

根据本发明的另一方面提供一种多层陶瓷电子元件的制造方法。所述方法包括：制备包括介电层的陶瓷生片；通过使用用于包括导电金属粉粒和陶瓷粉粒的内部电极的导电胶在所述陶瓷生片上形成内部电极图样；以及堆叠并烧结所述具有在其上形成的内部电极图样的生片来形成陶瓷主体，该陶瓷主体包括多个彼此相对设置的内部电极，使得所述介电层插入在内部电极之间，其中所述多个内部电极图样通过向所述内部电极图样插入指示L方向边缘部分最小尺寸的最小边缘指示部分形成，从而堆叠和烧结所述生片。

所述L方向上的最小边缘指示部分的尺寸可以小于或者等于所述L方向边缘部分的尺寸。

所述多层主体的芯片可以具有1608-标准尺寸(1.6mm×0.8mm×0.8mm)或者更小的尺寸。

所述最小边缘指示部分的尺寸可以是10μm或者更大。

可以以100到1000的数量设置堆叠的介电层。

所述导电金属是银(Ag)、铅(Pb)、铂(Pt)、镍(Ni)和铜(Cu)中的至少一种。

所述陶瓷可以是钛酸钡(BaTiO₃)。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更加清楚地理解本发明上述的以及其他的方面、特征和优点，其中：

图1是示意性地示出了根据本发明实施方式的多层陶瓷电容器的立体图；

图2是沿图1中线B-B’截取的横截面图；