[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体基底，所述半导体基底具有若干焊盘；

位于所述焊盘上的柱状电极，所述柱状电极包括本体和位于所述本体中的凹槽，凹槽的开口与柱状电极的顶部表面重合；

位于所述柱状电极上的焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部上的金属凸头和填充满所述凹槽的填充部。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，从凹槽的开口到底部，所述凹槽的宽度逐渐减小。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的深度为本体高度的0.5%~99.9%。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的数量为1个，所述凹槽的半径为柱状电极本体半径的1%~99%。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的数量大于1个，凹槽在本体中独立分布。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽在本体中呈直线分布、矩阵分布、同心圆分布、同心圆环分布、多边形分布、若干射线或者不规则分布。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体基底上具有钝化层，所述钝化层中具有第一开口，第一开口暴露出焊盘的全部或部分表面，第一开口的侧壁与柱状电极的外侧侧壁相接触。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述钝化层上具有第一绝缘层，第一绝缘层的表面与柱状电极的顶部表面齐平，第一绝缘层覆盖柱状电极的侧壁。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述钝化层上具有第一绝缘层，第一绝缘层的表面低于柱状电极的顶部表面，第一绝缘层和柱状电极的外侧侧壁之间具有第一环形刻蚀凹槽，第一环形刻蚀凹槽暴露钝化层的部分表面。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述焊球还包括位于柱状电极本体的外侧侧壁上的裙带部，裙带部的上部分与金属凸头连接，裙带部的下部分与柱状电极两侧的部分钝化层相接触，并与第一环形刻蚀凹槽的侧壁相接触，所述裙带部的下部分的宽度大于上部分的宽度，裙带部的下部分的表面低于第一绝缘层的表面或与第一绝缘层的表面平齐或者高于第一绝缘层的表面。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体基底上具有钝化层，所述钝化层具有暴露焊盘全部或部分表面的第一开口，位于部分钝化层上的再布线层，所述再布线层填充满所述第一开口，再布线层作为焊盘的一部分，柱状电极位于第一开口外的再布线层上。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述钝化层上和再布线层上的第二绝缘层，第二绝缘层的表面与柱状电极的本体顶部表面齐平。

13.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述钝化层上的第二绝缘层，第二绝缘层的表面低于柱状电极的本体顶部表面，第二绝缘层和柱状电极的本体之间具有第二环形刻蚀凹槽，第二环形刻蚀凹槽暴露再布线层的部分表面。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述焊球还包括位于柱状电极本体的外侧侧壁上的裙带部，裙带部的上部分与金属凸头连接，裙带部的下部分与柱状电极两侧的部分再布线层相连接，并与第二环形刻蚀凹槽的侧壁相接触，所述裙带部的下部分的宽度大于上部分的宽度，裙带部的下部分的表面低于第一绝缘层的表面或与第一绝缘层的表面平齐或者高于第一绝缘层的表面。

15.如权利要求8或10或12或14所述的半导体器件，其特征在于，所述焊球与本体之间具有金属阻挡层。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，金属阻挡层的为镍锡的双层结构、镍银的双层结构、镍金的双层结构或镍和锡合金的双层结构。