[发明专利]半导体器件的封装件有效
| 申请号： | 201210445562.8 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102931164A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 林仲珉 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 封装 | ||
1.一种半导体器件的封装件，其特征在于，包括：
芯片，所述芯片表面具有焊盘；
位于所述芯片表面的钝化层，所述钝化层具有开口，所述开口暴露出部分焊盘；
位于所述焊盘表面的凸点，所述凸点的尺寸小于所述开口的尺寸；
覆盖所述凸点表面、且覆盖开口底部焊盘表面的焊球。
2.如权利要求1所述的半导体器件的封装件，其特征在于，还包括：覆盖所述凸点的顶部和侧壁的防扩散层，所述焊球位于防扩散层表面。
3.如权利要求2所述的半导体器件的封装件，其特征在于，所述防扩散层还覆盖开口底部的焊盘。
4.如权利要求2所述的半导体器件的封装件，其特征在于，所述防扩散层的材料为镍。
5.如权利要求2所述的半导体器件的封装件，其特征在于，所述防扩散层的厚度为0.05微米-10微米。
6.如权利要求2所述的半导体器件的封装件，其特征在于，所述防扩散层的厚度为1微米-3微米。
7.如权利要求2或3所述的半导体器件的封装件，其特征在于，还包括：覆盖所述防扩散层的浸润层，所述焊球位于浸润层表面。
8.如权利要求7所述的半导体器件的封装件，其特征在于，所述浸润层的材料中至少包括锡元素、金元素或银元素。
9.如权利要求7述的半导体器件的封装件，其特征在于，浸润层的厚度为0.05微米-3微米。
10.如权利要求1所述的半导体器件的封装件，其特征在于，所述凸点包括单个或多个堆叠的子凸点。
11.如权利要求1所述的半导体器件的封装件，其特征在于，所述凸点包括多个堆叠的子凸点，位于顶部的子凸点包括子凸点本体和位于所述子凸点本体表面的子凸点尾部。
12.如权利要求1所述的半导体器件的封装件，其特征在于，所述凸点的材料为铜、金、银、铜合金、金合金或银合金，所述焊球的材料为锡或锡合金。
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