[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤S101：提供半导体衬底；

步骤S102：在所述半导体衬底拟进行离子注入的区域与待形成离子注入遮蔽层的区域的交界处形成抗反射层；

步骤S103：利用光刻胶在所述半导体衬底上形成离子注入遮蔽层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述抗反射层与所述离子注入遮蔽层的交叠宽度大于等于15nm。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述抗反射层为多晶硅层。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度大于

5.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多晶硅层为在形成多晶硅栅极时形成的辅助多晶硅图形之一。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述半导体器件为在现有的半导体器件的基础上改进制得；

其中，所述现有的半导体器件包括：有源区、拟进行离子注入的区域、多晶硅栅极、以及与所述多晶硅栅极同层且用相同材料形成的第一辅助多晶硅图形、第二辅助多晶硅图形与第三辅助多晶硅图形；所述第三辅助多晶硅图形靠近所述拟进行离子注入的区域，且与所述拟进行离子注入的区域的间距大于零；

在所述步骤S102中，在所述现有的半导体器件的基础上，向所述有源区的方向扩大所述拟进行离子注入的区域，使所述拟进行离子注入的区域与所述第三辅助多晶硅图形存在交叠。

7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件为在现有的半导体器件的基础上改进制得；

其中，所述现有的半导体器件包括：有源区、拟进行离子注入的区域、多晶硅栅极、以及与所述多晶硅栅极同层且用相同材料形成的第一辅助多晶硅图形、第二辅助多晶硅图形与第三辅助多晶硅图形；所述第三辅助多晶硅图形靠近所述拟进行离子注入的区域，且与所述拟进行离子注入的区域的间距大于零；

在所述步骤S102中，在所述现有的半导体器件的基础上，向拟进行离子注入的区域的方向增大所述第三辅助多晶硅图形的宽度。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第三辅助多晶硅图形的边缘接近所述拟进行离子注入的区域或者与所述拟进行离子注入的区域存在交叠。

9.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第三辅助多晶硅图形的宽度大于等于其他辅助多晶硅图形的宽度。

10.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第三辅助多晶硅图形的宽度为其他辅助多晶硅图形宽度的2~5倍。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述抗反射层为条状。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S103包括：

步骤S1031：在所述半导体衬底上涂布一层光刻胶薄膜；

步骤S1032：利用掩膜板对所述光刻胶薄膜进行曝光、显影处理，在所述待形成离子注入遮蔽层的区域形成图形化的光刻胶。

13.如权利要求1~12任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103之后还包括步骤S104：以所述离子注入遮蔽层为掩膜，在所述拟进行离子注入的区域进行离子注入。