[发明专利]一种结型场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种结型场效应晶体管的制备方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述衬底上形成介质层和硬掩膜层；

图案化所述介质层和所述硬掩膜层；

在所述衬底上外延生长第一半导体材料层并进行源漏注入，以形成源漏区；

氧化所述半导体材料层的表面，以形成氧化物；

去除剩余的所述硬掩膜层，以露出所述介质层；

在所述介质层上外延生长第二半导体材料层并平坦化；

回蚀刻所述第二半导体材料层，以形成凹槽，然后进行沟道注入，以形成沟道；

在所述凹槽中外延生长第三半导体材料层并平坦化，以形成栅极；

对所述栅极进行离子注入，以形成不含底栅的结型场效应晶体管。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电层为SiO₂。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层为SiN。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体材料层为Si。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源漏注入为深度较大的源漏注入。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二半导体材料层为Si。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三半导体材料层为Si。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源漏注入和所述沟道注入的离子类型相同。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极中离子注入的类型与所述源漏注入、所述沟道注入的离子类型不同。

10.一种结型场效应晶体管，包括：

半导体衬底；

栅极，位于所述半导体衬底上；

介电层，位于所述衬底和所述栅极之间；

沟道层，位于所述栅极介电层和所述栅极之间；

源漏区，位于所述栅极两侧的衬底上；

其中所述栅极由与所述栅极掺杂类型不同的源漏区和沟道层包围。

11.根据权利要求10所述的结型场效应晶体管，其特征在于，所述介电层为SiO₂。

12.根据权利要求10所述的结型场效应晶体管，其特征在于，所述沟道层和所述源漏区具有相同类型的离子掺杂。

13.根据权利要求10所述的结型场效应晶体管，其特征在于，所述栅极为硅或多晶硅栅极。