[发明专利]温度检测电路及其调整方法

说明书

技术领域

本发明涉及温度检测电路、尤其是检测半导体集成装置的温度的温度检测电路及其调整方法。

背景技术

在包含半导体集成装置的电子设备中，为了防止因其动作所伴随的发热而产生的误动作或损伤，当设备内部的温度超过既定温度时，使保护电路动作。此时，为了检测设备内部的温度，例如有的使用热敏电阻，但因为一般的热敏电阻其制造差异大，所以为了精度良好地检测温度，必需使用制造差异小的高价热敏电阻。

因此，为了不使用热敏电阻等温度传感器而检测电子设备的内部温度，提出了利用带隙参考电路（band gap reference circuit）生成不依赖于温度的基准电压的技术(例如参照专利文献1的图1)。在这种带隙参考电路中，利用运算放大器(61)生成欲使具有彼此不同的发射极面积的第1晶体管(65～67)及第2晶体管(68～70)各自的基极发射极间电压相等的负反馈电压，同时，将该电压作为基准电压(Vbgr)输出。此时，半导体的温度越是上升则基极发射极间电压越下降。此外，因为如上所述，第1晶体管及第2晶体管的发射极面积彼此不同，所以第1晶体管的温度上升所伴随的基极发射极间电压的下降程度与第2晶体管的温度上升所伴随的基极发射极间电压的下降程度彼此不同。不过，当绝对零度时，无论发射极面积如何，基极发射极间电压均收敛于与半导体带隙能量相符的带隙电压。即，第1及第2晶体管各自的基极发射极间电压彼此的差分变为温度变化所伴随的电压变化量。因此，通过利用上述运算放大器的动作消除上述温度上升所伴随的基极发射极间电压的下降量，可生成具有不依赖于温度变化的带隙电压的基准电压。

但是，即便是该带隙参考电路中使用的电阻(R1～R5)、晶体管(5～7、74～76)及运算放大器(61)，也因为特性因制造上的差异而变动，所以存在难以进行高精度的温度检测的问题。

专利文献1：日本特开平10－9967号。

发明内容

本发明为了解决上述问题而做出，其目的在于提供能与制造上的差异无关地以高精度进行温度检测的温度检测电路及其调整方法。

本发明涉及的温度检测电路，生成指示半导体温度的温度检测信号，具有：第1及第2二极管，具有彼此独立的PN结面；第1电流通路，包含串联连接于所述第1二极管、分压电阻比根据第1偏移调整信号可变的第1可变分压电阻；第2电流通路，包含串联连接于所述第2二极管、分压电阻比根据第2偏移调整信号可变的第2可变分压电阻；基准电压生成部，将表示由所述第1可变分压电阻分压而得的第1分压电压与所述第2电流通路上的电位的差分的差分电压分别反馈供给所述第1及第2电流通路，同时，输出所述差分电压作为基准电压；以及温度检测信号生成部，根据由所述第2可变分压电阻分压而得的第2分压电压，生成所述温度检测信号。

另外，本发明涉及的温度检测电路的调整方法是权利要求1所述的温度检测电路的调整方法，具有：第1步骤，通过使所述第1偏移调整信号的电平变化，使所述基准电压与既定的第1电压一致；第2步骤，通过使所述第2偏移调整信号的电平变化，使所述第2分压电压与既定的第2电压一致；以及第3步骤，通过使所述第3偏移调整信号的电平变化，使所述温度检测信号的电平与既定的第3电压一致。

发明效果

在本发明涉及的温度检测电路中，当基于具有彼此独立的PN结面的第1及第2二极管各自的正向电压来生成不依赖于温度的基准电压时，由第1可变分压电阻调整第1二极管的正向电压，从而生成该基准电压。从而，通过以所生成的基准电压与带隙电压相等的方式调整第1可变分压电阻，能进行抑制了制造上差异所伴随的精度下降的高精度的温度检测。

另外，在这种温度检测电路中，当基于其电压伴随半导体的温度上升而下降的第2二极管的正向电压来生成指示半导体温度的温度检测信号时，由第2可变分压电阻调整第2二极管的正向电压，从而生成该温度检测信号。根据基于这种第2可变分压电阻的调整，能够变更温度检测信号中的温度梯度(温度变化所伴随的电压变化程度)，所以能将温度检测的灵敏度设定为任意灵敏度。

另外，在这种温度检测电路中，通过用其增益能调整的放大部来放大第2二极管的正向电压，得到温度检测信号。从而，通过以该温度检测信号在既定的温度条件下成为既定电压的方式调整放大部的放大增益，能进行抑制了制造上差异所伴随的精度下降的高精度的温度检测。

并且，根据本发明涉及的温度检测电路，能够在相同温度条件下进行上述各种调整，所以能实现调整时间的缩短。

附图说明

图1是示出本发明涉及的温度检测电路1的电路图。