[发明专利]基板处理装置无效
申请号: | 201210445846.7 | 申请日: | 2012-11-09 |
公开(公告)号: | CN103107058A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 花轮健一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/24 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其为利用通过高频电力产生的等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置,所述基板处理装置的特征在于,包括:
产生高频电力的高频电源;
等离子体生成电极,其用于被从所述高频电源供给高频电力而生成等离子体;
单一的匹配器,其设置在所述高频电源与所述等离子体生成电极之间,使传送路径的阻抗与负载的阻抗匹配;和
阻抗调整电路,其设置在所述匹配器与所述等离子体生成电极之间,对它们之间的阻抗进行调整,
所述匹配器将等离子体和所述阻抗调整电路作为一个负载取得阻抗的匹配,通过利用所述阻抗调整电路对阻抗进行调整,将所述匹配器的输出阻抗调整为比等离子体的阻抗高的规定的值。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:
所述阻抗调整电路具有一个可变电容,通过所述可变电容对阻抗进行调整。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于:
所述阻抗调整电路还具有一个以上的固定电容,通过所述固定电容进行阻抗的微调整。
4.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于:
所述固定电容以能够切换的方式设置,能够根据需要选择任一个或两个以上。
5.一种基板处理装置,其为利用通过高频电力产生的等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置,所述基板处理装置的特征在于,包括:
产生高频电力的高频电源;
等离子体生成电极,其具有第一供电点和设置在与该第一供电点相对的位置的第二供电点,被从所述高频电源对所述第一供电点和所述第二供电点供给高频电力而生成等离子体;
单一的匹配器,其设置在所述高频电源与所述等离子体生成电极之间,使传送路径的阻抗与负载的阻抗匹配;
第一阻抗调整电路,其设置在所述匹配器与所述第一供电点之间,对它们之间的阻抗进行调整;和
第二阻抗调整电路,其设置在所述匹配器与所述第二供电点之间,对它们之间的阻抗进行调整,
所述匹配器将等离子体和所述第一阻抗调整电路以及所述第二阻抗调整电路作为一个负载取得阻抗的匹配,通过利用所述第一阻抗调整电路以及所述第二阻抗调整电路对阻抗进行调整,将所述匹配器的输出阻抗调整为比等离子体的阻抗高的规定的值。
6.一种基板处理装置,其为利用通过高频电力产生的等离子体对多个基板进行处理的等离子体处理装置,所述基板处理装置的特征在于,包括:
产生高频电力的高频电源;
与所述多个基板中的各个基板对应地设置,用于被从所述高频电源供给高频电力而生成等离子体的多个等离子体生成电极;
单一的匹配器,其设置在所述高频电源与所述多个等离子体生成电极之间,使传送路径的阻抗与负载的阻抗匹配;和
设置在所述匹配器与所述多个等离子体生成电极中的各个等离子体生成电极之间,对它们之间的阻抗进行调整的多个阻抗调整电路,
所述匹配器将等离子体和所述多个阻抗调整电路作为一个负载取得阻抗的匹配,通过利用所述多个阻抗调整电路对阻抗进行调整,将所述匹配器的输出阻抗调整为比等离子体的阻抗高的规定的值。
7.一种基板处理装置,其为利用通过高频电力产生的等离子体对多个基板进行处理的等离子体处理装置,所述基板处理装置的特征在于,包括:
产生高频电力的高频电源;
与所述多个基板中的各个基板对应地设置,具有第一供电点和设置在与该第一供电点相对的位置的第二供电点,被从所述高频电源对所述第一供电点和所述第二供电点供给高频电力而生成等离子体的多个等离子体生成电极;
单一的匹配器,其设置在所述高频电源与所述多个等离子体生成电极之间,使传送路径的阻抗与负载的阻抗匹配;
在所述多个等离子体生成电极的各个等离子体生成电极中,设置在所述匹配器与所述第一供电点之间,对它们之间的阻抗进行调整的多个第一阻抗调整电路;和
在所述多个等离子体生成电极的各个等离子体生成电极中,设置在所述匹配器与所述第二供电点之间,对它们之间的阻抗进行调整的多个第二阻抗调整电路,
所述匹配器将等离子体和所述多个第一阻抗调整电路以及所述多个第二阻抗调整电路作为一个负载取得阻抗的匹配,通过利用所述多个第一阻抗调整电路以及所述多个第二阻抗调整电路对阻抗进行调整,将所述匹配器的输出阻抗调整为比等离子体的阻抗高的规定的值。
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