[发明专利]布线构造和具备其的薄膜晶体管阵列基板以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及配设在例如液晶显示装置的显示面板等的、包含透明导电膜的布线的布线构造。

背景技术

近年来，作为能够兼顾宽视角和高透射率这样的特征的液晶模式，对FFS（Fringe Field Switching：边缘场开关）模式的液晶显示装置的采用正迅速扩大。FFS模式的TFT阵列基板例如像下述的专利文献1所示出的那样，包含两层透明导电膜隔着绝缘膜重叠的构造。与此相对，一般的TN（Twisted Nematic：扭曲向列）模式的TFT阵列基板所具有的透明导电膜为一层。因此，FFS模式的TFT阵列基板的制造所需要的照相凸版工序数与一般的TN模式的TFT阵列基板的制造相比较，增加至少一个工序。

作为对该工序数增加的对策，例如在下述的专利文献2中公开了以下技术：通过设计在FFS模式的TFT阵列基板设置的透明导电膜图案的配置，从而减少需要的照相凸版工序数。在专利文献2中公开的FFS模式的TFT阵列基板的结构能够使用与一般的TN模式的TFT阵列基板的制造相同数量的照相凸版工序来形成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3826217号公报；

专利文献2：日本特愿2010-191410号公报。

发明要解决的课题

如上所述，FFS模式的TFT阵列基板具备两层透明导电膜隔着绝缘膜重叠的构造。在该情况下，存在以下情况：在下层的透明导电膜产生的应力和在其上层的绝缘膜产生的应力的平衡未被保持，发生上层的绝缘膜在透明导电膜的端部等剥离的被称为“膜浮动”或“膜剥落”的现象（以下统称为“膜浮动”）。

该膜浮动的发生频度还与透明导电膜的图案密度有关系，在TFT阵列基板中的显示区域外侧的框缘区域等透明导电膜的图案密度比较疏的区域中，例如在外部连接端子部、布线变换部等，发生频度变高。因为在发生了绝缘膜的膜浮动的部分中会失去绝缘膜作为保护膜的功能，所以膜浮动成为引起电极耐腐蚀性的降低、绝缘破坏的发生等在TFT阵列基板的制造中的成品率的降低、以及TFT阵列基板的可靠性的降低的主要原因。因此，为了得到成品率和可靠性高的TFT阵列基板，对绝缘膜的膜浮动的对策是有效的。

在专利文献2中，为了使FFS模式的TFT阵列基板的照相凸版工序数为与一般的TN模式的TFT阵列基板相同的数量，采用了在成为源极布线的金属膜图案上未隔着绝缘膜配置透明导电膜的结构。在该结构中，在TFT阵列基板上的透明导电膜图案的面积变大，绝缘膜的膜浮动的发生频度可能变高，因此膜浮动的对策变得更加重要。

此外，在专利文献2的TFT阵列基板中，需要金属膜和透明导电膜作为电气相同的电极或布线发挥作用，因此金属膜和透明导电膜的电连接性变得重要。例如，因为在ITO（Indium Tin Oxide：铟锡氧化物）等的透明电极和Al之间不能容易地得到良好的电连接性，所以在需要在最上层为Al类金属的层叠膜之上配设ITO的透明导电膜的情况下会成为问题。本发明者确认了以下情况：在使用了具有在Al上配置ITO的布线构造的TFT阵列基板的液晶显示装置中，对TFT阵列基板的不同的层的布线彼此进行连接的布线变换部的电阻上升，引起线缺陷等显示异常。

另一方面，因为Al类薄膜的电阻值低，所以Al类薄膜对TFT阵列基板的信号布线的应用与液晶显示装置的高分辨率化和大画面化一起正在扩大。因此，在FFS模式的TFT阵列基板的开发中，使透明导电膜和金属膜、特别是在上表面具有Al类薄膜的层叠膜之间的电连接性提高成为重要的课题。

发明内容

本发明是为了解决以上那样的课题而完成的，其目的在于，提供一种能抑制在透明导电膜上的绝缘膜的膜浮动的发生并且能得到透明导电膜和金属膜的良好的电连接性的布线构造和具备该布线构造的TFT阵列基板以及液晶显示装置。

用于解决课题的方案

本发明的布线构造具备：第二导电膜；挖通部，在俯视图中形成在所述第二导电膜的内侧；以及第一透明导电膜，以覆盖所述第二导电膜的上表面和露出到所述挖通部中的所述第二导电膜的端面并且不覆盖所述第二导电膜的外周端面的方式形成。

发明效果

根据本发明，能防止应力集中在第一透明导电膜的端部，并且能抑制在该第一透明导电膜之上设置的绝缘膜的膜浮动的发生。此外，因为第一透明导电膜与露出到挖通部内的第二导电膜的端面连接，所以即使第二导电膜的最上层与第一透明导电膜的电连接性差，也能利用其它层得到良好的电连接性。

附图说明