[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法在审
申请号: | 201210447572.5 | 申请日: | 2012-11-09 |
公开(公告)号: | CN103426897A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 朴鲜;李律圭;曹圭湜;宋智勋 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 严芬;罗正云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示设备,包括:
薄膜晶体管,包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极;
有机发光器件,包括连接至所述薄膜晶体管的像素电极、具有发射层的中间层以及对电极;以及
对电极接触部分,包括联接区和绝缘区,
在所述联接区中所述对电极和电源互连线彼此接触,并且
在所述绝缘区中绝缘层介于所述对电极和所述电源互连线之间,在所述绝缘区中所述绝缘层的一部分穿到所述电源互连线内。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述电源互连线包括:
形成在与所述栅电极相同平面上的第一互连层,以及
位于所述第一互连层上方的第二互连层,所述第二互连层形成在与所述源电极和所述漏电极相同平面上。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示设备,其中所述电源互连线包括多个穿孔,所述绝缘层的所述一部分填入到所述多个穿孔内。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示设备,其中所述多个穿孔从所述第二互连层穿到所述第一互连层。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示设备,进一步包括用于限定所述有机发光器件的像素区的像素限定层,所述绝缘层形成在与所述像素限定层相同平面上。
6.一种制造有机发光显示设备的方法,该方法包括:
在基板上的对电极接触部分中形成电源互连线,在所述电源互连线中形成有穿孔;
在所述电源互连线上方形成绝缘层,所述绝缘层的一部分填入到所述穿孔内;以及
在所述绝缘层上方形成对电极,所述对电极通过所述电源互连线上的联接区接触所述电源互连线,所述绝缘层不包括在所述联接区中。
7.根据权利要求6所述的制造有机发光显示设备的方法,进一步包括形成薄膜晶体管的有源层、栅电极以及源电极和漏电极,
其中形成所述电源互连线包括:
通过利用相同的栅电极形成材料在与所述栅电极相同的平面上形成第一互连层;以及
通过利用相同的源电极和漏电极形成材料在与所述源电极和所述漏电极相同的平面上形成第二互连层。
8.根据权利要求7所述的制造有机发光显示设备的方法,其中所述穿孔包括形成在所述电源互连线中的多个穿孔。
9.根据权利要求8所述的制造有机发光显示设备的方法,其中所述多个穿孔被形成为从所述第二互连层穿到所述第一互连层。
10.根据权利要求9所述的制造有机发光显示设备的方法,进一步包括形成用于限定所述有机发光器件的像素区的像素限定层,所述绝缘层形成在与所述像素限定层相同平面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的