[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法在审
申请号: | 201210447572.5 | 申请日: | 2012-11-09 |
公开(公告)号: | CN103426897A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 朴鲜;李律圭;曹圭湜;宋智勋 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 严芬;罗正云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
相关专利申请的交叉引用
本申请要求2012年5月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0053162的优先权,该专利申请的公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
本申请涉及一种有机发光显示设备及其制造方法。
背景技术
有机发光显示设备可包括薄膜晶体管和有机发光器件。当从薄膜晶体管向有机发光器件传输适当的驱动信号时,有机发光器件发光,由此使期望的图像具体化。
发明内容
实施例可通过提供一种有机发光显示设备来实现,该有机发光显示设备包括:薄膜晶体管,包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极;有机发光器件,包括连接至所述薄膜晶体管的像素电极、包括发射层的中间层以及对电极;以及对电极接触部分,包括联接区和绝缘区,在所述联接区中所述对电极和电源互连线彼此接触,并且在所述绝缘区中,绝缘层介于所述对电极和所述电源互连线之间。在所述绝缘区中,所述绝缘层的一部分穿到所述电源互连线内。
所述电源互连线可包括:形成在与所述栅电极相同平面上的第一互连层,以及位于所述第一互连层上方的、形成在与所述源电极和所述漏电极相同平面上第二互连层。在所述电源互连线中可形成多个穿孔,并且所述绝缘层的一部分可填入到所述多个穿孔内。
所述多个穿孔可从所述第二互连层穿到所述第一互连层。所述有机发光显示设备可进一步包括用于限定所述有机发光器件的像素区的像素限定层。所述绝缘层可形成在与所述像素限定层相同平面上。
实施例还可通过提供一种制造有机发光显示设备的方法来实现,该方法包括:在基板上的对电极接触部分中形成电源互连线,在所述电源互连线中形成有穿孔;在所述电源互连线上方形成绝缘层,所述绝缘层的一部分填入到所述穿孔内;以及在所述绝缘层上方形成对电极,以通过所述电源互连线上的联接区接触所述电源互连线,所述绝缘层不存在所述联接区中。
所述方法可进一步包括形成薄膜晶体管的有源层、栅电极以及源电极和漏电极。形成所述电源互连线包括:通过利用相同材料在与所述栅电极相同的平面上形成第一互连层;以及通过利用相同的材料在与所述源电极和所述漏电极相同的平面上形成第二互连层。
在所述电源互连线中可形成多个穿孔。所述多个穿孔可被形成为从所述第二互连层穿到所述第一互连层。所述方法可进一步包括形成用于限定所述有机发光器件的像素区的像素限定层,其中所述绝缘层形成在与所述像素限定层相同平面上。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例,特征将变得明显,在附图中:
图1是根据示例性实施例的有机发光显示设备的截面图;
图2A至图2F是图示根据示例性实施例的用于制造图1的有机发光显示设备的方法中的各阶段的截面图;以及
图3是示意性图示图1的有机发光显示设备中的对电极接触部分的穿孔排列结构的平面图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更为充分地描述示例实施例,然而,这些示例实施例可以以不同的形式被体现,并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。相反地,提供这些实施例,使得本公开详尽和完全,并且将充分地向本领域技术人员传达示例性实施。
诸如“…中的至少一个”的表述在位于一列元素之后时修饰整列元素,而不修饰该列中的单个元素。
图中相同的附图标记指代相同的元件。以下在描述示例性实施例时,如果关于已知的相关功能或结构的详细描述可能致使主题不清楚,则将省略该详细描述。
在图示示例性实施例的附图中,为便于说明和清楚起见,可放大图中所示的每一层的厚度或大小。此外,在本说明书中,当诸如层、膜、区域、板等之类的组元位于另一组元“之上”时,该组元应被解释为不仅可“直接”位于另一组元“之上”,而且可通过至少一个其它的组元而位于另一组元的上方。
图1是根据示例性实施例的反向(back)发射型有机发光显示设备的截面图。
参照图1,根据本实施例的有机发光显示设备包括薄膜晶体管TFT、有机发光器件EL以及对电极接触部分CNT。在对电极接触部分CNT中,有机发光器件EL的对电极35连接至电源互连线40。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的