[发明专利]阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的源电极和漏电极位于不同层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源电极上形成有第一钝化层的图形，所述第一钝化层的图形上形成有所述漏电极。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：

基板；

位于所述基板上的栅电极和栅线的图形；

位于形成有所述栅电极和栅线的图形的基板上的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层上的半导体有源层的图形；

位于形成有所述半导体有源层的图形的基板上的源电极和数据线的图形；

位于形成有所述源电极和数据线的图形的基板上的第一钝化层的图形；

位于形成有所述第一钝化层的图形的基板上的欧姆接触层的图形；

位于形成有所述欧姆接触层的图形的基板上的漏电极的图形；

位于形成有所述漏电极的图形的基板上的第二钝化层的图形，所述第二钝化层的图形包括有对应所述漏电极的像素电极过孔；

位于形成有所述第二钝化层的图形的基板上的像素电极的图形，所述像素电极通过所述像素电极过孔与所述漏电极连接。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏电极上形成有第一钝化层的图形，所述第一钝化层的图形上形成有所述源电极。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：

基板；

位于所述基板上的栅电极和栅线的图形；

位于形成有所述栅电极和栅线的图形的基板上的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层上的半导体有源层的图形；

位于形成有所述半导体有源层的图形的基板上的漏电极的图形；

位于形成有所述漏电极的图形的基板上的第一钝化层的图形；

位于形成有所述第一钝化层的图形的基板上的欧姆接触层的图形；

位于形成有所述欧姆接触层的图形的基板上的源电极和数据线的图形；

位于形成有所述源电极和数据线的图形的基板上的第二钝化层的图形，所述第二钝化层的图形包括有对应所述漏电极的像素电极过孔；

位于形成有所述第二钝化层的图形的基板上的像素电极的图形，所述像素电极通过所述像素电极过孔与所述漏电极连接。

6.根据权利要求3或5所述的阵列基板，其特征在于，所述栅金属层为采用Nd、Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al和Cu中的任一种或者其中至少两种金属的合金。

7.根据权利要求3或5所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层为采用SiN_x、SiO₂、Al₂O₃，AlN或树脂。

8.根据权利要求3或5所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体有源层为采用a-Si。

9.根据权利要求3或5所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏金属层为采用Nd、Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al和Cu中的任一种或者其中至少两种金属的合金。

10.根据权利要求3或5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层为采用SiO₂或SiN_x，所述第二钝化层为采用SiO₂或SiN_x。

11.根据权利要求3或5所述的阵列基板，其特征在于，所述欧姆接触层为采用n+a-Si。

12.根据权利要求3或5所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电层为采用ITO或IZO。

13.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-12中任一项所述的阵列基板。

14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-12中任一项所述的阵列基板。

15.一种如权利要求1-12中任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，通过两次构图工艺分别形成位于不同层的源电极和漏电极。