[发明专利]阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是指一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置。

背景技术

开启电流I_on是TFT-LCD（薄膜晶体管-液晶显示器）中最重要的一个参数，其大小直接影响TFT-LCD的显示品质。目前，由于TFT-LCD越来越向高刷新率、高分辨率发展，这就要求TFT有比较高的开启电流I_on。对于a-Si TFT，提高开启电流I_on的主要方式是增大沟道（channel）的宽长比（W/L）。

现有技术中，源电极和漏电极位于同一层，通过一次构图工艺同时形成，由于受到掩膜板关键尺寸精度的约束，现有工艺中沟道长度最小也只能做到3.5um，如何减小沟道长度已经成为提高I_on的一个瓶颈。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置，能够尽可能地减小源电极和漏电极之间的沟道长度，进而极大的提高了TFT的开启电流I_on。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板的源电极和漏电极位于不同层。

进一步地，上述方案中，所述源电极上形成有第一钝化层的图形，所述第一钝化层的图形上形成有所述漏电极。

进一步地，上述方案中，所述阵列基板具体包括：

基板；

位于所述基板上的栅电极和栅线的图形；

位于形成有所述栅电极和栅线的图形的基板上的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层上的半导体有源层的图形；

位于形成有所述半导体有源层的图形的基板上的源电极和数据线的图形；

位于形成有所述源电极和数据线的图形的基板上的第一钝化层的图形；

位于形成有所述第一钝化层的图形的基板上的欧姆接触层的图形；

位于形成有所述欧姆接触层的图形的基板上的漏电极的图形；

位于形成有所述漏电极的图形的基板上的第二钝化层的图形，所述第二钝化层的图形包括有对应所述漏电极的像素电极过孔；

位于形成有所述第二钝化层的图形的基板上的像素电极的图形，所述像素电极通过所述像素电极过孔与所述漏电极连接。

进一步地，上述方案中，所述漏电极上形成有第一钝化层的图形，所述第一钝化层的图形上形成有所述源电极。

进一步地，上述方案中，所述阵列基板具体包括：

基板；

位于所述基板上的栅电极和栅线的图形；

位于形成有所述栅电极和栅线的图形的基板上的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层上的半导体有源层的图形；

位于形成有所述半导体有源层的图形的基板上的漏电极的图形；

位于形成有所述漏电极的图形的基板上的第一钝化层的图形；

位于形成有所述第一钝化层的图形的基板上的欧姆接触层的图形；

位于形成有所述欧姆接触层的图形的基板上的源电极和数据线的图形；

位于形成有所述源电极和数据线的图形的基板上的第二钝化层的图形，所述第二钝化层的图形包括有对应所述漏电极的像素电极过孔；

位于形成有所述第二钝化层的图形的基板上的像素电极的图形，所述像素电极通过所述像素电极过孔与所述漏电极连接。

进一步地，上述方案中，所述栅金属层为采用Nd、Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al和Cu中的任一种或者其中至少两种金属的合金。

进一步地，上述方案中，所述栅绝缘层为采用SiN_x、SiO₂、Al₂O₃，AlN或树脂。

进一步地，上述方案中，所述半导体有源层为采用a-Si。

进一步地，上述方案中，所述源漏金属层为采用Nd、Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al和Cu中的任一种或者其中至少两种金属的合金。

进一步地，上述方案中，所述第一钝化层为采用SiO₂或SiN_x，所述第二钝化层为采用SiO₂或SiN_x。

进一步地，上述方案中，所述欧姆接触层为采用n+a-Si。

进一步地，上述方案中，所述透明导电层为采用ITO或IZO。

本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括如上所述的阵列基板。