[发明专利]一种去除光阻残留物的清洗液

说明书

技术领域

本发明涉及一种清洗液，更具体地说，涉及一种去除光阻残留物的清洗液。

背景技术

在通常的LED和半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形之后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能腐蚀任何基材。

目前，光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。其中一类是含有水的光刻胶清洗液，其含水量一般大于5％；如JP1998239865公开了一种含水体系的清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵（TMAH）、二甲基亚砜（DMSO）、1，3’-二甲基-2-咪唑烷酮（DMI）和水。将晶片浸入该清洗液中，于50～100℃下除去金属和电介质基材上的20μm以上的光刻胶；其对半导体晶片基材的腐蚀略高，且不能完全去除半导体晶片上的光刻胶，清洗能力不足；又例如US5529887公开了由氢氧化钾（KOH）、烷基二醇单烷基醚、水溶性氟化物和水等组成碱性清洗液，将晶片浸入该清洗液中，在40～90℃下除去金属和电介质基材上的光刻胶。其对半导体晶片基材的腐蚀较高。在这类清洗液中由于含有游离的强碱性基团—OH，而且存在水，故其对金属基材往往会造成一定的腐蚀。而另一类是基本上不含有水的光刻胶清洗液，其含水量一般小于5％，甚至基本上不含有水。如US5480585公开了一种含非水体系的清洗液，其组成是乙醇胺、环丁砜或二甲亚砜和邻苯二酚，能在40～120℃下除去金属和电介质基材上的光刻胶，对金属基本无腐蚀。又例如US2005119142公开了一种含有烷氧基的聚合物、二丙二醇烷基醚、N-甲基吡咯烷酮和甲基异丁基酮的非水性清洗液。该清洗液可以同时适用于正性光刻胶和负性光刻胶的清洗。非水性光刻胶清洗液由于不含有水，其对金属基材基本无腐蚀；但该类清洗液在操作体系中混有少量的水的时候，其金属的腐蚀速率会显著上升，从而导致金属基材的腐蚀。故存在操作窗口较小的问题。

由此可见，寻找更为有效抑制金属腐蚀抑制方法和较大操作窗口的光刻胶清洗液该类光刻胶清洗液努力改进的优先方向。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种用于去除光阻残留物的清洗液及其组成。该清洗液在去除晶圆上的光阻残留物同时，对于基材如金属铝、银、铜、钛、钨和非金属二氧化硅、氮化镓等基本无腐蚀，同时对LED制成中Pad的清洗效果更好，在半导体及LED晶片清洗等领域具有良好的应用前景。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种新型清洗液，其含有醇胺，有机溶剂，没食子酸及其酯以及3-氨基-1,2,4-三氮唑。

其中，醇胺的含量为5-50wt％(质量百分比)，优选为10-45wt％。

其中，有机溶剂的含量为40-90wt％，优选为50-85wt％

其中，没食子酸及其酯的含量为0.05～5wt％，优选为0.1-3wt％

其中，3-氨基-1，2,4-三氮唑的含量为0.01-5wt％，优选为0.05-3wt％

上述含量均为质量百分比含量；且本发明所公开的去除光阻残留物的清洗液中，优选的，可不含有水、羟胺和/或氟化物。

本发明中，醇胺较佳的为单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺。优选单乙醇胺、二甘醇胺及其混合物。

本发明中，有机溶剂较佳的为亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种；亚砜较佳的为二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；砜较佳的为甲基砜、环丁砜中的一种或多种；咪唑烷酮较佳的为2-咪唑烷酮和1，3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；吡咯烷酮较佳的为N-甲基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮和N-羟乙基吡咯烷酮中的一种或多种；咪唑啉酮较佳的为1，3-二甲基-2-咪唑啉酮酰胺较佳的为二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种；醇醚较佳的为乙二醇烷基醚、丙二醇烷基醚中的一种或多种。乙二醇烷基醚较佳的为乙二醇单乙醚、二乙二醇单甲醚和二乙二醇单丁醚中的一种或多种；丙二醇烷基醚较佳的为丙二醇单甲醚、丙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或多种。

本发明中，没食子酸及其酯较佳的为没食子酸、没食子酸甲酯、没食子酸乙酯、没食子酸丁酯、没食子酸辛酯、没食子酸月桂酯、1-没食子酸甘油酯中的一种或多种。