[发明专利]双应力薄膜的制造方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201210451699.4 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102915923A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 张文广;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应力 薄膜 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
1.一种双应力薄膜的制造方法，包括：
提供一具有第一区域和第二区域的衬底；
采用含氮气体沉积碳化硅薄膜，并采用碳氢化合物对所述碳化硅薄膜进行等离子体处理，重复上述沉积碳化硅薄膜和等离子体处理步骤，直至形成目标厚度的碳化硅薄膜，所述碳化硅薄膜为压应力薄膜；
在所述第一区域的碳化硅薄膜上覆盖光阻层；
利用UV光照射所述第二区域的碳化硅薄膜，使所述第二区域的碳化硅薄膜转变为拉应力薄膜；
去除所述第一区域的碳化硅薄膜上的光阻层。
2.如权利要求1所述的双应力薄膜的制造方法，其特征在于，所述碳化硅薄膜的厚度在100~1000埃之间。
3.如权利要求1所述的双应力薄膜的制造方法，其特征在于，利用UV光照射所述第二区域的碳化硅薄膜前，所述碳化硅薄膜的压应力在300~400MPa之间。
4.如权利要求1所述的双应力薄膜的制造方法，其特征在于，利用UV光照射所述第二区域的碳化硅薄膜后，所述第二区域的碳化硅薄膜的拉应力在600~800MPa之间。
5.如权利要求1所述的双应力薄膜的制造方法，其特征在于，去除所述第一区域的碳化硅薄膜上的光阻层之后，还包括：
在所述第二区域的碳化硅薄膜上覆盖光阻层；
利用惰性气体等离子体处理所述第一区域的碳化硅薄膜；
去除所述第二区域的碳化硅薄膜上的光阻层。
6.如权利要求5所述的双应力薄膜的制造方法，其特征在于，利用惰性气体等离子体处理所述第一区域的碳化硅薄膜后，所述第一区域的碳化硅薄膜的压应力在2.0~3.7GPa之间。
7.如权利要求1所述的双应力薄膜的制造方法，其特征在于，所述碳化硅薄膜的介电常数为4~6。
8.如权利要求1所述的双应力薄膜的制造方法，其特征在于，所述第一区域用以形成PMOS晶体管，所述第二区域用以形成NMOS晶体管。
9.一种半导体器件，利用权利要求1~8中任意一项的双应力薄膜的制造方法获得，包括：
具有第一区域和第二区域的衬底；
形成于所述衬底上的碳化硅薄膜，所述第一区域上的碳化硅薄膜为压应力薄膜，所述第二区域上的碳化硅薄膜为拉应力薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
