[发明专利]一种ITO的清洗工艺无效
| 申请号： | 201210456780.1 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103801531A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 毛华军 | 申请（专利权）人： | 毛华军 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 264006 山东省烟*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ito 清洗 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种ITO的清洗工艺，其特征在于，蒸镀电极前，增加刻蚀液清洗工艺，所述清洗工艺步骤如下：首先将待清洗的芯片放入芯片花篮中；将花篮放入盛放缓冲刻蚀液的槽中浸泡15秒；取出花篮，将其放入盛放有纯水的槽中浸泡15分钟；浸泡完成后，取出花篮，将其放入甩干机中甩干。
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