[发明专利]一种ITO的清洗工艺无效

专利信息
申请号: 201210456780.1 申请日: 2012-11-15
公开(公告)号: CN103801531A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 毛华军 申请(专利权)人: 毛华军
主分类号: B08B3/08 分类号: B08B3/08;B08B3/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 264006 山东省烟*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 ito 清洗 工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种ITO的清洗工艺,属于LED生产领域。

背景技术

    LED为当今照明领域中最为节能环保的照明工具之一,但是由于在国内LED行业刚刚兴起,技术不是很成熟,尤其是掉电极现象更为严重,成为限制LED良率提高的瓶颈之一,掉电极现象出现的主要原因是ITO表面清洁度不高,怎么提高ITO表面的清洁度,是目前行业的生产中面临的主要难题之一。

发明内容

本发明针对现有技术存在的不足,提供一种ITO的清洗工艺。 

本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种ITO的清洗工艺,其特征在于,蒸镀电极前,增加刻蚀液清洗工艺,所述清洗工艺步骤如下:首先将待清洗的芯片放入芯片花篮中;将花篮放入盛放缓冲刻蚀液的槽中浸泡15秒;取出花篮,将其放入盛放有纯水的槽中浸泡15分钟;浸泡完成后,取出花篮,将其放入甩干机中甩干。

本发明的有益效果是:本发明通过在蒸镀电极前增加刻蚀液清洗工艺,能够将待光刻的芯片上的污染物清洗掉,从而保证了芯片表面的清洁度,增加了电极的牢固性,减少掉电极的现象,提高了芯片的良率。

具体实施方式

以下对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。

一种ITO的清洗工艺,其特征在于,蒸镀电极前,增加刻蚀液清洗工艺,所述清洗工艺步骤如下:首先将待清洗的芯片放入芯片花篮中;将花篮放入盛放缓冲刻蚀液的槽中浸泡15秒;取出花篮,将其放入盛放有纯水的槽中浸泡15分钟;浸泡完成后,取出花篮,将其放入甩干机中甩干。

以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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