[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 201210457527.8 | 申请日: | 2012-11-14 |
公开(公告)号: | CN103137186A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 金定焕 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063;G11C11/413 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 石卓琼;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,所述半导体装置具有多个层叠的存储芯片,每个存储芯片都包括存储块,每个存储块都包括存储器单元,所述存储器单元被配置用于经由布置在每个存储芯片中的位线和字线而存取数据,所述半导体装置包括:
位线感测放大器,所述位线感测放大器被设置在所述存储芯片中的一个中,其中所述位线感测放大器配置成控制所述层叠的存储芯片中的任一个存储芯片中的位线的使能;以及
子字线驱动器,所述子字线驱动器被设置在所述存储芯片中的一个中,其中所述子字线驱动器配置成控制所述层叠的存储芯片中的任一个存储芯片中的字线的使能。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述层叠的存储芯片每个都包括第一存储块和第二存储块,所述第一存储块和所述第二存储块每个都包括第一组存储器单元和第二组存储器单元,且其中所述位线感测放大器包括:
第一组位线感测放大器,所述第一组位线感测放大器与第一组位线耦接,所述第一组位线与所述层叠的存储芯片中的每个存储芯片中的第一存储块的第一组存储器单元耦接;以及
第二组位线感测放大器,所述第二组位线感测放大器与第二组位线耦接,所述第二组位线与所述层叠的存储芯片中的每个存储芯片中的第一存储块的第二组存储器单元耦接,
其中,在所述层叠的存储芯片中的每个芯片的第一存储块中,所述第一组存储器单元中的任何存储器单元都被设置为不与所述第二组存储器单元的任何存储器单元相邻,以及
其中,所述第一组位线感测放大器位于所述第一存储块的第一侧,而所述第二组位线感测放大器位于关于所述第一存储块的所述第一侧的相对置的一侧。
3.如权利要求2所述的半导体装置,其中,当所述第一存储块中的存储器单元是按顺序布置的时,所述第一组存储器单元对应于奇数编号的存储器单元,而所述第二组存储器单元对应于对应于偶数编号的存储器单元。
4.如权利要求2所述的半导体装置,其中,所述第一组位线感测放大器位于所述第一存储块之上,而所述第二组位线感测放大器位于所述第一存储块之下。
5.如权利要求2所述的半导体装置,其中,所述多个子字线驱动器包括:
第一组子字线驱动器,所述第一组子字线驱动器与第一组字线耦接,所述第一组字线与所述层叠的存储芯片中的每个存储芯片中的所述第一存储块的第一组存储器单元耦接;以及
第二组子字线驱动器,所述第二组子字线驱动器与第二组字线耦接,所述第二组字线与所述层叠的存储芯片中的每个存储芯片中的所述第二存储块的第一组存储器单元耦接,
其中,所述第一组子字线驱动器位于所述第一存储块的第一组存储器单元的第二侧,而所述第二组子字线驱动器位于所述第二存储块的第一组存储器单元的与所述第二侧相对置的一侧。
6.如权利要求5所述的半导体装置,其中,所述第一组子字线驱动器位于所述第一存储块的第一组存储器单元的左侧,而所述第二组子字线驱动器位于所述第二存储块的第一组存储器单元的右侧。
7.如权利要求5所述的半导体装置,其中,所述第一组子字线驱动器位于所述层叠的存储芯片中的每个存储芯片中的一个第一存储块的第一组存储器单元与所述第一存储块的第二组存储器单元之间。
8.如权利要求5所述的半导体装置,其中,每个子字线驱动器包括:
主驱动器,所述主驱动器被配置成接收反相的主字线信号以及子字线选择信号,并输出用于将所述字线中的任一个使能的字线输出信号;以及
芯片选择开关,所述芯片选择开关被配置成接收从所述主驱动器输出的字线输出信号和芯片选择信号,并将选中的存储芯片的相应字线使能。
9.如权利要求8所述的半导体装置,其中,所述芯片选择开关包括:
第一组芯片选择开关,所述第一组芯片选择开关与布置在所述层叠的存储芯片中的每个存储芯片中的第一存储块的第一组存储器单元处的第一组字线耦接;以及
第二组芯片选择开关,所述第二组芯片选择开关与布置在所述层叠的存储芯片中的每个存储芯片中的第一存储块的第二组存储器单元处的第一组字线耦接。
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