[发明专利]用于溅镀工艺的夹具与溅镀半导体封装件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种治具结构及半导体封装件的制法，尤指一种用于溅镀工艺的夹具与溅镀半导体封装件的方法。

背景技术

一般半导体封装件的制作通过将半导体芯片电性连接于一例如导线架或者封装基板的承载件上，再于该承载件上借由封装胶体包覆该半导体芯片，以避免该半导体芯片与外界大气接触，进而避免受到水气或污染物的侵害。不过，于半导体封装件于运作时，多少会遭受到外界的电磁干扰（Electromagnetic interference，EMI），进而导致该半导体封装件的电性运作功能不正常，因此影响整体该半导体封装件的电性效能。有鉴于前述电磁干扰的问题，传统上于半导体封装件的顶表面与侧表面溅镀上金属。

请参阅图1，其为现有溅镀半导体封装件的方法的示意图。

如图1所示，其于电浆处理室15中提供一具有静电夹盘101的承载板10，而该静电夹盘101借由静电挟持力将半导体封装件11固定于该承载板10上，并于该半导体封装件11上方设有电极13，而该半导体封装件11与该电极13间形成有电浆区域14，该电浆区域14内的气体被射频（RF）激发后产生溅镀用电浆，并溅镀该半导体封装件11，然而，前述的溅镀方法容易溢镀至该半导体封装件11的底面112，导致不良品的产生。

还请参阅图2，其为另一种现有溅镀半导体封装件的方式的示意图。

如图2所示，提供一表面具有多个凹槽200的承载板20，且该凹槽200的侧壁201与底面202呈90度直角，并于各该凹槽200中设有一半导体封装件21，而各该凹槽200的深度高于该半导体封装件21的顶面211，并于溅镀过程中左右往返移动该承载板20，不过，此溅镀方法仅少数溅镀金属进入该半导体封装件21与该凹槽的侧壁201间，使得该半导体封装件21的侧表面212上的金属层厚度不足。

因此，如何克服现有技术的种种问题，实为一重要课题。

发明内容

为解决上述现有技术的种种问题，本发明的主要目的在于揭露一种用于溅镀工艺的夹具与溅镀半导体封装件的方法，其可防止溢镀至半导体封装件的底部，进而增进半导体封装件的良率。

本发明的用于溅镀工艺的夹具包括：承载板，其具有凹槽；粘着层，其形成于该凹槽的底面上，且该粘着层的顶面定义有一对象设置区；以及治具板，其结合于该粘着层上，并嵌入于该承载板的凹槽，且具有对应外露该对象设置区的第一开口，该治具板的第一开口的截面呈底窄顶宽的锥形，该对象设置区的边缘与该第一开口的底端间并间隔有一预定距离。

此外，本发明提供另一种用于溅镀工艺的夹具，其包括：承载板，其具有第一凹槽，该第一凹槽的底面定义有一对象设置区，于该第一凹槽的对象设置区内具有第二凹槽，于该第二凹槽内并形成有贯穿孔；以及治具板，其设于该第一凹槽的底面上，并嵌入于该承载板的第一凹槽，且具有对应外露该对象设置区的第一开口，该治具板的第一开口的截面呈底窄顶宽的锥形，该对象设置区的边缘与该第一开口的底端间并间隔有一预定距离。

本发明提供一种溅镀半导体封装件的方法，其包括：提供具有贯穿的第一开口的治具板，该治具板的第一开口的截面呈底窄顶宽的锥形；于该治具板的底面上贴附粘着层，且该粘着层封盖该第一开口；于该第一开口中的粘着层上设置半导体封装件，该半导体封装件的边缘与该第一开口的底端间并间隔有一预定距离；将该治具板嵌入于一承载板的凹槽中，使该粘着层接置于该凹槽的底面上；进行溅镀工艺；以及移除该承载板、粘着层与治具板。

本发明又提供一种溅镀半导体封装件的方法，其包括：提供一用于溅镀工艺的夹具，其包括：承载板，其具有第一凹槽，该第一凹槽的底面定义有一对象设置区，于该第一凹槽的对象设置区内具有第二凹槽，且该第二凹槽内具有贯穿孔；以及治具板，其设于该第一凹槽的底面上，并嵌入于该承载板的第一凹槽，且具有对应外露该对象设置区的第一开口，该治具板的第一开口的截面并呈底窄顶宽的锥形；于该第一凹槽的对象设置区上设置半导体封装件，该半导体封装件的底面上设有多个导电组件，该导电组件的高度小于该第二凹槽的深度，该半导体封装件的边缘与该第一开口的底端间并间隔有一预定距离；进行溅镀工艺；以及移除该承载板与治具板。

依上所述，本发明的用于溅镀工艺的夹具与溅镀半导体封装件的方法能改善半导体封装件等物品的侧边的溅镀金属层厚度不足所导致后续的问题，例如电磁干扰对于内部电性功能的影响，此外，本发明的夹具可避免溅镀至半导体封装件的底部。

附图说明

图1为显示现有溅镀半导体封装件的方法的示意图。

图2为显示另一种现有溅镀半导体封装件的方式的示意图。