[发明专利]半导体基片的制造工艺方法

权利要求书

1.一种半导体基片的制造工艺方法，其特征在于，其工艺步骤包括：

1)准备半导体基片，并完成器件和互连工艺以及用于连接背面金属的通孔工艺；

2)对基片背面进行研磨，使通孔不要露出；

3)对基片背面进行掺杂注入，并进行激活，掺杂区域和通孔底部有重叠并形成欧姆接触；

4)在基片背面淀积金属层。

2.按权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1）中,所述用于连接背面金属的通孔工艺，该通孔的深度在20微米-350微米，该通孔的宽度在0.5-10微米，该通孔的填充材料是导电的金属或半导体。

3.按权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤1）中,所述通孔的填充材料是W，Cu或多晶硅。

4.按权利要求2或3所述的方法，其特征在于，步骤1）中，所述通孔的填充材料和半导体基片之间有一层或多层阻挡层，该一层或多层阻挡层的厚度为

5.按权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤1）中，所述一层或多层阻挡层是Ti/TiN，TiN，SiO₂或SiN。

6.按权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2）完成后，背面研磨后的基片表面与通孔底部之间的距离为X，0微米＜X≦4微米。

7.按权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3）中，所述对基片背面进行掺杂注入的掺杂元素是硼，磷，砷或锑；背面掺杂元素注入深度和通孔底部连接或者重叠，所述掺杂区域与通孔底部有0-4微米的重叠；背面注入能量大于200Kev，背面注入剂量大于1E14/mm²。

8.按权利要求1或7所述的方法，其特征在于，步骤3）中，所述背面掺杂元素激活采用激光退火方式，背面激活温度在700-900℃。

9.按权利要求1或7所述的方法，其特征在于，步骤3）中，所述背面掺杂元素激活采用炉管或者烘箱退火方式，背面激活温度在400-500℃。

10.按权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4）中，所述在基片背面淀积金属层，该金属层是Al，Ti，Ni，Ag，Au，Cu金属的一种或者几种的组合，该金属层的厚度在之间。

11.一种半导体基片的制造工艺方法，其特征在于，其工艺步骤包括：

1)准备半导体基片，并完成器件和互连工艺以及用于连接背面金属的通孔工艺；

2)对基片背面进行研磨，使通孔露出；

3)对基片背面进行掺杂注入，并进行激活，掺杂区域和通孔底部有重叠并形成欧姆接触；

4)在基片背面淀积金属层。

12.按权利要求11所述的方法，其特征在于，步骤1）中,所述用于连接背面金属的通孔工艺，该通孔的深度在20微米-350微米，该通孔的宽度在0.5-10微米，该通孔的填充材料是导电的金属或半导体。

13.按权利要求12所述的方法，其特征在于，步骤1）中,所述通孔的填充材料是W，Cu或多晶硅。

14.按权利要求11所述的方法，其特征在于，步骤1）中，所述通孔的填充材料和半导体基片之间有一层或多层阻挡层，该一层或多层阻挡层的厚度为

15.按权利要求14所述的方法，其特征在于，步骤1）中，所述一层或多层阻挡层可以是Ti/TiN，TiN，SiO₂或SiN。

16.按权利要求11所述的方法，其特征在于，步骤2）完成后，背面研磨后通孔底部露出基片表面在0微米-4微米之间。

17.按权利要求11所述的方法，其特征在于，步骤3）中，所述对基片背面进行掺杂注入的掺杂元素是硼，磷，砷或锑；背面掺杂元素注入深度和通孔底部连接或者重叠，所述掺杂区域与通孔底部有0.5-4.5微米的重叠；背面注入能量大于15Kev，背面注入剂量大于1E14/mm²。

18.按权利要求11或17所述的方法，其特征在于，步骤3）中，所述背面掺杂元素激活采用激光退火方式，背面激活温度在700-900℃。