[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

说明书

本发明公开了一种半导体存储器件及其操作方法，在所述半导体存储器件及其操作方法中，包括存储器单元的存储器块划分成存储器组。在编程操作期间，施加到与每个存储器组中所包括的存储器单元相耦接的位线的位线电压的电平根据行译码器与每个存储器组之间的距离而改变。可以改善半导体存储器件中的存储器单元的阈值电压分布特性而不使编程性能恶化。

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年12月20日提交的申请号为10-2011-0138203的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种半导体存储器件及其操作方法，更具体而言，涉及一种能够改善存储器单元的阈值电压分布特性的半导体存储器件及其操作方法。

背景技术

近来，与一个字线连接的存储器单元的数目根据半导体存储器件（诸如快闪存储器件）的可靠性增强而有所增加。字线的长度和负载随着存储器单元的数目的增加而增加。

行译码器可以在编程操作期间将电压供应给字线。然而，随着字线的负载增加，施加到靠近行译码器的存储器单元的控制栅的编程电压电平与施加到远离行译码器的另一存储器单元的控制栅的编程电压电平不同。

此外，由于这种不同的编程电压电平，靠近行译码器的存储器单元的阈值电压的增加电平与远离行译码器的存储器单元的阈值电压的增加电平不同。因此，存储器单元的阈值电压分布变宽。

阈值电压的宽分布可使编程性能恶化，这是因为在将额外的编程脉冲施加到字线以使远离行译码器的存储器单元的阈值电压增加时用于编程操作所需的时间变长。需要一种改善存储器单元的阈值电压分布而不使编程操作性能恶化的方法。

发明内容

本发明的示例性实施例涉及一种半导体存储器件及其操作方法，所述半导体存储器件在编程操作期间根据行译码器与存储器单元之间的距离而将具有不同电平的电压施加到与存储器单元相耦接的位线，从而增强存储器单元的阈值电压分布特性而不使编程性能恶化。

根据本发明的第一实施例的半导体存储器件包括：存储器块，所述存储器块具有存储器组，每个存储器组包括与字线耦接的单元串；行译码器，所述行译码器被配置成在编程操作期间将编程电压施加到选中的字线；以及位线电压供应电路，所述位线电压供应电路被配置成将位线电压施加到与耦接至选中的字线的存储器单元之中的根据输入数据而确定的编程目标单元相耦接的位线，其中，位线电压的电平根据行译码器与包括编程目标单元的存储器组之间的距离而改变。

根据本发明的第二实施例的半导体存储器件包括：存储器块，所述存储器块具有存储器组，每个存储器组包括与字线耦接的单元串；行译码器，所述行译码器被配置成在编程操作期间将编程电压施加到字线之中的选中的字线；页缓冲器组，所述页缓冲器组包括页缓冲器，所述页缓冲器用于将参考电压施加到与耦接至选中的字线的存储器单元之中的根据输入数据而确定的编程目标单元相耦接的位线；以及参考电压供应电路，所述参考电压供应电路被配置成将参考电压提供给与存储器组相对应的页缓冲器组，其中，参考电压的电平根据行译码器与包括编程目标单元的存储器组之间的距离而改变。

根据本发明的一个实施例的操作半导体存储器件的方法包括以下步骤：将第一电压施加到与第一存储器组中的耦接至选中的字线的第一存储器单元之中的编程目标单元相耦接的位线；将与第一电压不同的第二电压施加到与第二存储器组中的耦接至选中的字线的第二存储器单元之中的另一编程目标单元相耦接的位线；通过将编程电压提供给选中的字线并且将通过电压施加到其他的字线来执行将数据储存在第一存储器单元和第二存储器单元中的编程操作。

在本发明的半导体存储器件及其操作方法中，包括存储器单元的存储器块划分成多个存储器组。在编程操作中，施加到与每个存储器组中所包括的存储器单元电耦接的位线的位线电压根据行译码器与每个存储器组之间的距离而改变。结果，存储器单元的阈值电压分布可以更窄而不使编程的性能恶化。