[发明专利]单晶测试样片腐蚀溶液及腐蚀方法无效
| 申请号： | 201210462274.3 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102925898A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 周聪;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/32 | 分类号： | C23F1/32;G01N1/32 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 赵青 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测试 样片 腐蚀 溶液 方法 | ||
【权利要求书】：
1.单晶测试样片腐蚀溶液，其特征在于，包括：氢氧化钠溶液，所述氢氧化钠溶液的浓度为6%。
2.单晶测试样片腐蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1，利用氢氧化钠溶液对硅片表面进行腐蚀，其中所述氢氧化钠溶液的浓度为6%；
S2，用纯净水对硅片进行清洗。
3.根据权利要求2所述的单晶测试样片腐蚀方法，其特征在于，所述S1中腐蚀的温度为75℃～85℃。
4.根据权利要求2所述的单晶测试样片腐蚀方法，其特征在于，所述S1中腐蚀的时间为55分钟。
5.根据权利要求2所述的单晶测试样片腐蚀方法，其特征在于，所述S2中纯净水的电阻率大于等于1MΩ。
6.根据权利要求5所述的单晶测试样片腐蚀方法，其特征在于，所述S2分为S2.1，用纯净水对硅片进行第一次清洗及S2.2，用纯净水对硅片进行第二次清洗。
7.根据权利要求6所述的单晶测试样片腐蚀方法，其特征在于，所述S2.1中用纯净水对硅片进行第一次清洗的时间为30秒。
8.根据权利要求6所述的单晶测试样片腐蚀方法，其特征在于，所述S2.2中用纯净水对硅片进行第二次清洗的时间为15分钟。
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