[发明专利]单晶测试样片腐蚀溶液及腐蚀方法

说明书

技术领域

本发明属于单晶理化参数的检测，特别是一种单晶测试样片腐蚀溶液及腐蚀方法。

背景技术

太阳能单晶测试样片在测试各理化参数之前都需要经过化学药液腐蚀去除表面的机械损伤层，然后用纯水将样片表面清洗干净。目前常用的腐蚀药液为混合酸（硝酸：醋酸：氢氟酸按照一定的比例混合），其中硝酸的浓度达到70%，氢氟酸的浓度达到49%。如此高浓度的混酸与硅反应剧烈产生大量的氮氧化合物，若泄漏于大气中会对环境有一定的影响，且对于操作人员也可能产生一定的危害。

发明内容

本发明的目的在于提供一种降低对人的危害、对环境友好的单晶测试样片腐蚀溶液及腐蚀方法。

为解决上述技术问题，本发明氢氧化钠溶液，所述氢氧化钠溶液的浓度为6%。

本发明单晶测试样片腐蚀方法，包括如下步骤：S1，利用氢氧化钠溶液对硅片表面进行腐蚀，其中所述氢氧化钠溶液的浓度为6%；S2，用纯净水对硅片进行清洗。

所述S1中腐蚀的温度为75℃～85℃。所述S1中腐蚀的时间为55分钟。所述S2中纯净水的电阻率大于等于1MΩ。所述S2分为S2.1，用纯净水对硅片进行第一次清洗及S2.2，用纯净水对硅片进行第二次清洗。所述S2.1中用纯净水对硅片进行第一次清洗的时间为30秒。所述S2.2中用纯净水对硅片进行第二次清洗的时间为15分钟。

本发明单晶测试样片腐蚀溶液及腐蚀方法将腐蚀单晶测试样片的化学药液用碱溶液来代替混酸溶液。碱溶液与硅反应时生成物为硅酸盐及氢气，硅酸盐与氢气对环境基本无影响，且反应时产生的氢气对操作人员也没什么危害。

具体实施方式

本发明单晶测试样片腐蚀方法，首先利用浓度为6%的氢氧化钠溶液对硅片表面进行腐蚀，腐蚀的温度为75℃～85℃，时间为55分钟；然后用纯净水对硅片进行清洗，清洗分为两部分，第一次清洗的时间为30秒，第二次清洗的时间为15分钟，其中纯净水的电阻率大于等于1MΩ。

本发明单晶测试样片腐蚀溶液及腐蚀方法将腐蚀单晶测试样片的化学药液用碱溶液来代替混酸溶液。碱溶液与硅反应时生成物为硅酸盐及氢气，硅酸盐与氢气对环境基本无影响，且反应时产生的氢气对操作人员也没什么危害。

以上已对本发明创造的较佳实施例进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。