[发明专利]形成垂直互连结构的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

在半导体管芯周围形成密封剂；

在密封剂上形成绝缘层；

在所述半导体管芯外部在密封剂的第一表面上穿过所述绝缘层形成包括多个导电微通孔的导电微通孔阵列；以及

从与密封剂的第一表面相对的密封剂的第二表面并且在所述半导体管芯外部形成开口，其中所述开口延伸穿过密封剂到导电微通孔阵列的多个导电微通孔。

2.权利要求1的制作半导体器件的方法，其中所述开口包括台阶穿孔结构。

3.权利要求1的制作半导体器件的方法，还包括在所述开口内形成导电互连结构。

4.权利要求1的制作半导体器件的方法，其中形成导电微通孔阵列包括：

在半导体管芯的覆盖区外部形成穿过绝缘层的微通孔阵列；以及

在绝缘层上形成导电层，该导电层延伸到微通孔中。

5.权利要求1的制作半导体器件的方法，还包括在导电微通孔阵列周围形成导电环。

6.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

在半导体管芯周围形成密封剂；

在所述密封剂的第一表面上形成包括多个导电微通孔的导电微通孔阵列；以及

从与密封剂的第一表面相对的密封剂的第二表面形成开口，其中所述开口延伸穿过密封剂到导电微通孔阵列的多个导电微通孔。

7.权利要求6的制作半导体器件的方法，其中所述开口包括台阶穿孔结构。

8.权利要求6的制作半导体器件的方法，还包括在所述开口中形成导电互连结构。

9.权利要求7的制作半导体器件的方法，其中形成台阶穿孔结构包括：

形成部分地穿过密封剂的第二表面的第一穿模孔（TMH）；以及

在第一TMH的覆盖区内形成穿过密封剂的第二TMH，该第二TMH包括比第一TMH的截面宽度小的截面宽度。

10.权利要求6的制作半导体器件的方法，还包括在半导体管芯上形成堆积互连结构。

11.一种半导体器件，包括：

半导体管芯；

在半导体管芯周围形成的密封剂；以及

导电微通孔阵列，包括多个导电微通孔，所述多个导电微通孔利用穿过密封剂形成的并且延伸到导电微通孔阵列的多个导电微通孔的开口而形成在半导体管芯的覆盖区外部的密封剂上。

12.权利要求11的半导体器件，其中所述开口包括：

部分地穿过密封剂形成的第一穿模孔（TMH）；以及

在第一TMH的覆盖区内穿过密封剂形成的第二TMH，该第二TMH包括比第一TMH的截面宽度小的截面宽度。

13.权利要求11的半导体器件，还包括：在导电微通孔阵列周围形成的导电环。

14.权利要求11的半导体器件，还包括在半导体管芯上形成的背部保护层。

15.权利要求11的半导体器件，还包括在密封剂上形成的绝缘层，其中所述微通孔阵列形成为穿过所述绝缘层。