[发明专利]用于磁头-介质和凹凸体检测的电阻温度传感器无效
申请号: | 201210464632.4 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN103123788A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | G·J·昆克尔;H·娄;D·麦卡恩;T·W·施特伯 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
主分类号: | G11B5/48 | 分类号: | G11B5/48;G01K7/16;G01K7/22;G01K7/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 磁头 介质 凹凸 体检 电阻 温度传感器 | ||
1.一种装置,包括:
磁头换能器;
温度传感器,所述温度传感器坐落在所述磁头换能器的附近或接近点处并被配置成测量所述接近点附近或所述接近点处的温度,所测得的温度响应于所述磁头换能器和磁记录介质之间间距的变化而变化;以及
检测器,所述检测器耦合于所述温度传感器并被配置成检测指示所述磁头换能器和介质之间的接触的开始的测得温度的DC分量的变化。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述温度传感器在磁头-介质接触期间产生实质上缺乏调制分量的温度信号。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述温度传感器在磁头-介质接触期间产生实质上缺乏AC分量的温度信号。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述温度传感器包括电阻温度传感器、热电偶和热敏电阻中的一者。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,包括在磁头-介质接触期间实质上没有调制的磁头-盘界面。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,包括被配置成致动所述磁头换能器以使所述温度传感器朝所述介质移动的致动器。
7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,包括磁头-盘界面,其中:
所述温度传感器被配置成将所述磁头-盘界面加热至高于所述介质温度的温度;以及
所述检测器被配置成检测DC分量的变化,所述DC分量的变化指示响应于所述磁头换能器和所述介质之间的接触的开始从受热的磁头-盘界面至所述介质的增加的热传递速率。
8.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述检测器被配置成检测所述DC分量的轨迹的漂移。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,包括:
磁头-盘界面;以及
热致动器,所述热致动器被配置成致动所述磁头换能器以使所述温度传感器朝所述介质移动,其中:
所述温度传感器和所述热致动器中的一者或两者被配置成将所述磁头-盘界面加热至高于所述介质温度的温度;以及
所述检测器被配置成检测DC分量变化,所述DC分量变化指示响应于所述磁头换能器和所述介质之间的接触的开始从受热的磁头-盘界面至所述介质的增加的热传递速率。
10.一种方法,包括:
使磁记录介质相对于磁头换能器移动;
测量所述磁头-盘界面处的温度,所测得的温度响应于所述磁头换能器和所述介质之间间距的变化而变化;以及
检测指示所述磁头换能器和所述介质之间的接触的开始的测得温度的DC分量的变化。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,还包括:
将所述磁头-盘界面加热至高于所述介质温度的温度;以及
检测DC分量的变化,所述DC分量的变化指示响应于所述磁头换能器和所述介质之间的接触的开始从受热的磁头-盘界面至所述介质的增加的热传递速率。
12.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述磁头-盘界面在磁头-介质接触期间实质上没有调制。
13.如权利要求10所述的方法,其特征在于,还包括致动所述磁头换能器以使所述磁头换能器朝所述介质移动。
14.一种装置,包括:
磁头换能器;以及
坐落在所述磁头换能器上的传感器,用以与所述磁记录介质的凹凸体相互作用,所述传感器包括:
感测元件,所述感测元件具有高的电阻温度系数;以及
导电引体,所述导电引体连接于所述感测元件,所述引体相对于所述感测元件具有低的电阻温度系数以使所述引体中的热致电阻变化对于所述感测元件对凹凸体的响应具有可忽略的影响。
15.如权利要求14所述的装置,其特征在于,所述感测元件对凹凸体的响应不被所述引体中的温度诱导电阻变化所混淆。
16.如权利要求14所述的装置,其特征在于,所述引体由具有近零的电阻温度系数的材料构成。
17.如权利要求14所述的装置,其特征在于,所述引体包括NiCu合金薄膜。
18.如权利要求14所述的装置,其特征在于,所述引体包括具有约100nm厚度的NiCu50%的合金薄膜。
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