[发明专利]薄膜晶体管基板与显示器

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，包括：

一基板；

一栅极，位于该基板上；

一栅绝缘层，位于该基板上且覆盖该栅极；

一有源层，配置于该栅绝缘层上，且位于该栅极上方；

一蚀刻停止层，位于该有源层上；

一源极，配置于该蚀刻停止层上，并电性连接该有源层；

一第一绝缘层，配置于该蚀刻停止层上并覆盖该源极；以及

一透明电极，包括相连的一漏极与一像素电极，其中该漏极是贯穿该第一绝缘层与该蚀刻停止层并接触该有源层，以电性连接该有源层，该像素电极是位于该第一绝缘层上。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该漏极与该像素电极为于同一制程步骤中制得的膜层。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该源极是贯穿该蚀刻停止层而接触该有源层。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，还包括：

一平坦层，配置于该第一绝缘层上；

一共用电极，配置于该平坦层上；以及

一第二绝缘层，配置于该平坦层上并覆盖该共用电极，其中该漏极系贯穿该第二绝缘层、该平坦层、该第一绝缘层与该蚀刻停止层，该像素电极系位于该第二绝缘层上。

5.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该源极的接触该有源层的部分与该漏极的接触该有源层的部分的间距为2微米至10微米。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该源极的接触该有源层的部分与该漏极的接触该有源层的部分的间距为3微米至8微米。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该有源层的宽度为12微米至35微米。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该有源层的宽度为13微米至24微米。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：

一导电层，配置于该第一绝缘层上，并贯穿该第一绝缘层与该蚀刻停止层，以接触该有源层并电性连接该有源层与该源极。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该源极与该有源层部分重叠。

11.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，还包括：

一平坦层，配置于该第一绝缘层上，其中该导电层配置于该平坦层上，并贯穿该平坦层、该第一绝缘层与该蚀刻停止层；

一共用电极，配置于该平坦层上，该共用电极与该导电层为于同一制程步骤中制得的膜层；以及

一第二绝缘层，配置于该平坦层上并覆盖该共用电极与该导电层，其中该漏极是贯穿该第二绝缘层、该平坦层、该第一绝缘层与该蚀刻停止层，该像素电极位于该第二绝缘层上。

12.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该导电层的直接接触该有源层的部分与该漏极的直接接触该有源层的部分的间距为1.5微米至10微米。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该导电层的直接接触该有源层的部分与该漏极的直接接触该有源层的部分的间距为2.5微米至8微米。

14.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该导电层的材质为透明金属氧化物。

15.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该有源层的宽度为9.5微米至30微米。

16.如权利要求15所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该有源层的宽度为11微米至24微米。

17.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该有源层的材质包括金属氧化物半导体，该透明电极的材质包括金属氧化物。

18.如权利要求17所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该有源层的材质为铟镓锌氧化物，该透明电极的材质为铟锡氧化物。

19.一种显示器，包括：

一如权利要求1所述的薄膜晶体管基板；

一基板，与该薄膜晶体管基板相对设置；以及

一显示介质，形成于该薄膜晶体管基板与该基板之间。

20.如权利要求19所述的显示器，其特征在于，该显示介质为一液晶层或一有机发光层。