[发明专利]边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210465992.6 申请日: 2012-11-16
公开(公告)号: CN103123429A 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: 申东秀;崔昇圭;李哲焕 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L21/77;H01L27/32
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 吕俊刚;刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 边缘 切换 模式 液晶 显示装置 阵列 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于液晶显示装置的阵列基板,所述阵列基板包括:

选通线,所述选通线在一个方向上形成在所述基板的表面上;

数据线,所述数据线与所述选通线交叉以限定像素区域;

薄膜晶体管,所述薄膜晶体管形成在所述选通线与所述数据线的交叉处;

有机绝缘层,所述有机绝缘层形成在所述基板的包括所述薄膜晶体管的整个表面上,并且具有用于暴露所述薄膜晶体管的开口部分;

公共电极和辅助电极图案,所述公共电极具有大的面积并且形成在所述有机绝缘层的上部,并且所述辅助电极图案通过所述开口部分连接到所述薄膜晶体管;

钝化层,所述钝化层形成在所述基板的包括所述公共电极和所述辅助电极图案的整个表面上,并且暴露连接到所述薄膜晶体管的所述辅助电极图案;以及

多个像素电极,所述多个像素电极形成在所述钝化层的上部,通过暴露的辅助电极图案电连接到所述薄膜晶体管,并且与所述公共电极交叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述开口部分与所述薄膜晶体管的上部交叠,并且形成在所述有机绝缘层内。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述像素电极电连接到所述辅助电极图案和漏电极。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,所述阵列基板进一步包括:

公共线,所述公共线与所述选通线平行地布置在所述基板上。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,所述阵列基板进一步包括:

公共连接图案,所述公共连接图案形成在所述钝化层的上部以分别连接所述公共线和所述公共电极。

6.根据权利要求1所述的阵列基板,所述阵列基板进一步包括:

滤色器层,所述滤色器层形成在其中所述选通线与所述数据线彼此交叉的像素区域处。

7.一种制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法,所述方法包括:

在基板的表面上在一个方向上形成选通线;

形成与所述选通线交叉以限定像素区域的数据线;

在所述选通线与所述数据线的交叉处形成薄膜晶体管;

在所述基板的包括所述薄膜晶体管的整个表面上形成有机绝缘层以具有用于暴露所述薄膜晶体管的开口部分;

在所述有机绝缘层的上部形成具有大的面积的公共电极,并且形成通过所述开口部分连接到所述薄膜晶体管的辅助电极图案;

在所述基板的包括所述公共电极和所述辅助电极图案的整个表面上形成钝化层以暴露连接到所述薄膜晶体管的所述辅助电极图案;以及

在所述钝化层的上部形成多个像素电极,所述多个像素电极通过暴露的辅助电极图案电连接到所述薄膜晶体管并且与所述公共电极交叠。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述开口部分与所述薄膜晶体管的上部交叠,并且形成在所述有机绝缘层内。

9.根据权利要求7所述的方法,其中,所述像素电极电连接到所述辅助电极图案和漏电极。

10.根据权利要求7所述的方法,其中,在所述选通线的形成过程中,与所述选通线平行地布置公共线。

11.根据权利要求10所述的方法,其中,在所述像素电极的形成过程中,在所述钝化层的上部形成公共连接图案,所述公共连接图案用于分别连接所述公共线和所述公共电极。

12.根据权利要求7所述的方法,所述方法进一步包括:

在其中所述选通线与所述数据线彼此交叉的像素区域处形成滤色器层。

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