[发明专利]边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置，并且更具体地，涉及一种边缘场切换（FFS）模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。

背景技术

一般来说，液晶显示装置的驱动原理是基于液晶的极化和光学各向异性。在具有伸长结构的液晶在分子排列方面具有方向性，并且因此，能够通过人工地将电场施加到液晶来控制其分子排列的方向。

因此，如果任意地控制液晶的分子排列方向，则可以改变液晶的分子排列，并且利用光学各向异性使光在液晶的分子排列方向上折射以显示图像信息。

目前，其中薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的像素电极布置为矩阵形式的主动矩阵液晶显示装置（AM-LCD；下面简称为“液晶显示装置”）由于其分辨率和视频实施能力而得到广泛的使用。

液晶显示装置可以包括形成有公共电极的滤色器基板（即，上基板）、形成有像素电极的阵列基板（即，下基板）以及填充在上基板与下基板之间的液晶，其中，通过在公共电极与像素电极之间在垂直方向上施加的电场来驱动液晶，从而展现出优异的透射率和开口率。

然而，由在垂直方向上施加的电场驱动液晶具有提供的视角特性不足的缺陷。因此，新近提出了通过共面转换驱动液晶的驱动方法以克服前述缺陷，并且通过共面转换驱动液晶的驱动方法具有优异的视角特性。

这样的共面转换模式液晶显示装置可以包括彼此面对的滤色器基板和阵列基板，并且液晶层插入在滤色器基板与阵列基板之间。

为分别限定在阵列基板上的透明绝缘基板上的多个像素提供公共电极和像素电极。

此外，公共电极和像素电极被构造为在同一基板上并行地彼此隔开。

另外，滤色器基板可以包括在透明绝缘基板上位于对应于选通线、数据线和薄膜晶体管的部分处的黑矩阵以及对应于像素的滤色器。

此外，由公共电极与像素电极之间的水平电场驱动液晶层。

这里，公共电极和像素电极由透明电极形成以确保亮度。

因此，已经提出了边缘场切换（FFS）技术来最大化亮度增强效果。FFS技术允许以精确的方式控制液晶，从而在没有偏色的情况下获得高对比度。

将参考图1和图2描述根据现有技术的边缘场切换（FFS）模式液晶显示装置。

图1是示出根据现有技术的边缘场切换（FFS）模式液晶显示装置的示意性平面图。

图2是作为沿着图1的线II-II截取的截面图的示出边缘场切换（FFS）模式液晶显示装置的示意性截面图。

如图1和图2中所示，根据现有技术的用于边缘场切换（FFS）模式液晶显示装置的阵列基板可以包括在透明绝缘基板11上在一个方向上延伸的彼此平行隔开的多条选通线13；与选通线13交叉以在交叉区域中限定像素区域的多条数据线21；薄膜晶体管（T），其设置在选通线13与数据线21的交叉处并且由在垂直方向上从选通线13延伸的栅电极13a、栅极绝缘层15、有源层17、欧姆接触层19、源电极21a和漏电极21b制成；第一钝化层27，其形成在基板的包括薄膜晶体管（T）的前表面上；像素电极29，其具有大面积，形成在第一钝化层27上并且连接到薄膜晶体管（T）；第二钝化层31，其形成在第一钝化层27上并且覆盖像素电极29；以及多个公共电极33，其形成在第二钝化层31上，彼此隔开并且对应于像素电极29。

这里，具有大面积的像素电极29布置在其中选通线13和数据线21彼此交叉的像素区域中。

此外，公共电极33与像素电极29交叠并且在其间插入有第二钝化层31。这里，像素电极29和多个公共电极33由是透明导电材料的铟锡氧化物（ITO）形成。

此外，像素电极29通过形成在第一钝化层27上的漏极接触孔27a电连接到漏电极21b。

此外，虽然在图中未示出，但是滤色器层（未示出）和布置在滤色器层之间以阻挡光的透射的黑矩阵（未示出）沉积在结合到形成有像素电极29和多个公共电极33的绝缘基板11的滤色器基板（未示出）上，并且保护层（未示出）可以形成在黑矩阵和滤色器层上以在黑矩阵与滤色器层之间执行平坦化。

此外，虽然在图中未示出，但是液晶层（未示出）可以形成在彼此结合的滤色器基板（未示出）与绝缘基板11之间。

如上所述，根据现有技术中的FFS模式液晶显示装置，漏极接触孔应该形成为将像素电极和薄膜晶体管的漏电极连接到钝化层，并且在漏极接触孔的形成过程中在漏极接触孔的周围产生液晶向错区域孔，从而导致漏光。