[发明专利]IC 电路有效

专利信息
申请号: 201210466383.2 申请日: 2012-11-16
公开(公告)号: CN103124174A 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: 成浚晔;李在新;崔仲镐;卢容成;张豪峻;俞昌植;权正善;文荣振 申请(专利权)人: 三星电机株式会社;首尔市立大学产学协力团
主分类号: H03K19/094 分类号: H03K19/094
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: ic 电路
【权利要求书】:

1.一种IC电路,包括:

RT端子,连接至外部电阻器或其他系统;

电流镜单元,用于在内部电压电源和所述RT端子之间传导沟道电流并产生与所述沟道电流镜像的内部参考电流;

负反馈单元,用于从所述电流镜单元接收所述内部参考电流;

使所述电流镜单元的RT端子连接端的电压和内部参考电流输出端的电压相等以使所述内部参考电流保持恒定;以及在所述IC电路内部提供所述内部参考电流;以及

包括晶体管的IC状态指示单元,所述晶体管根据驱动信号与所述电流镜单元进行互补操作,并且连接在所述RT端子和地之间并通过与所述电流镜单元的互补操作关联来向所述RT端子提供IC或系统的状态,并且

特征在于,通过所述RT端子产生内部参考电流并通过所述RT端子将所述IC或所述系统的状态通知给其他系统。

2.根据权利要求1所述的IC电路,其中,所述电流镜单元包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的源极连接至所述内部电压电源,其中所述第一PMOS晶体管的漏极连接至所述RT端子,且所述第二PMOS晶体管的漏极向所述负反馈单元提供所述内部参考电流。

3.根据权利要求1所述的IC电路,其中,所述负反馈单元包括放大器和第三PMOS晶体管,其中所述放大器的正输入端子和负输入端子分别连接至所述电流镜单元的所述RT端子连接端和所述内部参考电流输出端,以保持所述RT端子连接端和所述内部参考电流输出端处于相同的电压下,所述第三PMOS晶体管在所述IC电路内部提供由所述内部参考电流输出端提供的所述内部参考电流,同时通过接收所述放大器的输出作为栅极驱动信号并通过反馈源极至所述放大器的所述负输入端子来保持所述内部参考电流恒定。

4.根据权利要求3所述的IC电路,其中,所述电流镜单元包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管用于在所述内部电压电源和所述RT端子之间传导所述沟道电流,所述第二PMOS晶体管用于从所述内部电压电源产生与所述沟道电流镜像的所述内部参考电流以向所述第三PMOS晶体管提供所述内部参考电流。

5.根据权利要求1所述的IC电路,其中,所述IC状态指示单元在其晶体管接通期间根据所述电流镜单元的断开操作向所述RT端子提供0V的电压,并在其晶体管断开期间根据所述电流镜单元的接通操作向所述RT端子提供与所述内部电压电源一致的电压。

6.根据权利要求1所述的IC电路,其中,所述IC状态指示单元的晶体管为NMOS晶体管。

7.根据权利要求2所述的IC电路,其中,所述IC状态指示单元的晶体管为NMOS晶体管。

8.根据权利要求3所述的IC电路,其中,所述IC状态指示单元的晶体管为NMOS晶体管。

9.一种IC电路,包括:

RT端子,连接至外部电阻器或其他系统;

电流镜单元,用于在内部电压电源和所述RT端子之间传导沟道电流,并产生与所述沟道电流镜像的内部参考电流;

负反馈单元,用于从所述电流镜单元接收所述内部参考电流;使所述电流镜单元的RT端子连接端的电压和内部参考电流输出端的电压相等以使所述内部参考电流保持恒定,并在所述IC电路内部提供所述内部参考电流;以及

包括晶体管的IC状态指示单元,所述晶体管连接在所述RT端子和地之间,所述IC状态指示单元提供用于使所述电流镜单元与所述晶体管的驱动互补操作的镜像驱动信号,并且所述晶体管通过根据晶体管驱动信号与所述电流镜单元的互补操作关联,来是否向所述RT端子提供预设参考电压以显示IC或系统的状态,并且

特征在于,通过所述RT端子产生所述内部参考电流并通过所述RT端子向其他系统通知所述IC或所述系统的状态。

10.根据权利要求9所述的IC电路,其中,所述电流镜单元包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的源极连接至所述内部电压电源,其中所述第一PMOS晶体管的漏极连接至所述RT端子,且所述第二PMOS晶体管的漏极向所述负反馈单元提供所述内部参考电流。

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