[发明专利]IC 电路有效

专利信息
申请号: 201210466383.2 申请日: 2012-11-16
公开(公告)号: CN103124174A 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: 成浚晔;李在新;崔仲镐;卢容成;张豪峻;俞昌植;权正善;文荣振 申请(专利权)人: 三星电机株式会社;首尔市立大学产学协力团
主分类号: H03K19/094 分类号: H03K19/094
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: ic 电路
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求于2011年11月17日提交的第10-2011-0120270号的韩国专利申请的优先权,通过引证将其全部内容结合于本申请中。

技术领域

本发明涉及一种IC电路,更具体地,涉及一种能够通过一个RT端子产生内部参考电流并通过该一个RT端子显示IC的状态的IC电路。

背景技术

近来,各种电子器件的最为重要的因素是功率效率。高效率开关式电源(SMPS)主要用作电源端以建立高功率效率的电子器件。用于实施SMPS的多个IC被释放,并且具有集成功能的IC被释放以降低制造成本。降低制造成本最有效的方法是通过一个引脚实现多个功能,且本发明涉及一种将提供准确参考电流的功能以及通知诸如IC或SMPS的系统的操作状态的数据通信功能集成于一体的技术。

首先,将描述典型IC中产生内部参考电流的方法。图3示出了典型的电流源产生器。IC内使用的参考电流Iref可通过连接至RT引脚10的电阻器1R1来改变。由放大器14A1、晶体管13M3及电阻器1R1组成的负反馈回路将RT引脚10的电压设定为等于预设参考电压Vref,且Vref/R1的电流Ich流入外部电阻器1R1中。此时,所产生的Ich电流利用由晶体管11及12M1及M2组成的电流镜来产生内部参考电流Iref。此时,所产生的Iref电流根据镜像晶体管11及12M1及M2的尺寸比而变化。

接下来,将描述示出典型IC中的IC状态的方法。图4示出了用于通知IC或与IC连接的系统的状态的引脚的构造示例。图4是通过IC内的晶体管16M4以及连接在电源电压VCC和状态信息引脚15STATE之间的电阻器2R2以通知IC或系统的状态来实现的。如果晶体管16M4的驱动信号Ф为高,则晶体管16M4被接通,使得状态信息引脚15STATE的电压几乎为0V。当驱动信号Φ为低时,晶体管16M4被断开,使得状态信息引脚15STATE具有电源电压VCC。因此,可根据状态信息引脚15STATE的电压通知IC或系统的状态,并且可由连接在IC之前或之后的另一个块接收该信息。

在现有技术中,如图3中所示,用于产生内部参考电流的引脚以及用于通知IC或系统的状态的引脚是分离使用的。也就是说,在现有技术中,实施具有两个独立引脚的IC来利用上述两种功能。

发明内容

创作本发明以克服上述问题,因此,本发明的目的是提供一种能够通过一个引脚来实现两个功能的IC电路,该IC电路通过一个引脚产生内部参考电流并通过该相同的引脚通知IC或与IC连接的系统的状态。

根据用以实现该目的的本发明的第一实施方式,提供一种IC电路,其包括:RT端子,连接至外部电阻器或其他系统;电流镜单元,用于在内部电压电源和RT端子之间传导沟道电流并产生与沟道电流镜像的内部参考电流;负反馈单元,用于从电流镜单元接收内部参考电流;使电流镜单元的RT端子连接端的电压和内部参考电流输出端的电压相等以使内部参考电流保持恒定;以及在IC电路内部提供内部参考电流;以及包括晶体管的IC状态指示单元,该晶体管根据驱动信号与电流镜单元进行互补操作并且连接在RT端子和地之间并通过与电流镜单元的互补操作关联来向RT端子提供IC或系统的状态,并且特征在于,通过RT端子产生内部参考电流并通过RT端子将IC或系统的状态通知给其他系统。

在本发明的另一个示例中,电流镜单元可包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管,第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的源极连接至内部电压电源,其中第一PMOS晶体管的漏极可以连接至RT端子,且第二PMOS晶体管的漏极可以向负反馈单元提供所述内部参考电流。

此外,在示例中,负反馈单元可包括放大器和第三PMOS晶体管,其中放大器的正输入端子和负输入端子可以分别连接至电流镜单元的RT端子连接端和内部参考电流输出端,以保持RT端子连接端和内部参考电流输出端处于相同的电压下,第三PMOS晶体管可以在IC电路内部提供由内部参考电流输出端提供的内部参考电流,同时通过接收放大器的输出作为栅极驱动信号并通过反馈源极至放大器的负输入端子来保持内部参考电流恒定。

此时,在另一示例中,电流镜单元可包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管,第一PMOS晶体管用于在内部电压电源和RT端子之间传导沟道电流,第二PMOS晶体管用于从内部电压电源产生与沟道电流镜像的内部参考电流以向第三PMOS晶体管提供内部参考电流。

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