[发明专利]一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法无效

专利信息
申请号: 201210467701.7 申请日: 2012-11-19
公开(公告)号: CN102942308A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 彭钰;李冬;郭元元 申请(专利权)人: 天津市中环高科技有限公司
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34
代理公司: 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人: 莫琪
地址: 300385 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 透明 材质 分层 氮化 sinxoy 方法
【权利要求书】:

1.一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法,其特征在于,以透明材料为基板材料,采用沉积薄膜的方法在基板材料表面沉积两层SiO2 膜层和一层SiNxOy膜层;通过SiNxOy层和SiO2 层光学膜系配比设计,经分层SiNxOy的成膜,使透明玻璃成品的透过率提高、反射率减小,所述方法包括如下次序步骤: 

步骤一、选取素透明材质基板或带透明导电膜层的透明材质为基板材料;

步骤二、在基板材料表面沉积第一SiO2  膜层、第二SiO2 膜层和SiNxOy膜层,根据在基板材料沉积三个膜层的顺序不同,形成三种膜层结构的产品,其中:

第一种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为:

a)首先在基板材料表面沉积第一SiO2  膜层,厚50~400nm,镀膜工艺条件电压300V~500V,通入工艺气体包含N2,O2,Ar, SiO2 膜层单层折射率为1.6~2.1之间;

b)在经过镀膜工艺生成的第一SiO2膜层表面沉积第二SiO2膜层,膜厚50~400nm,镀膜工艺条件电压300V~500V,通入工艺气体包含N2,O2,Ar,SiO2 膜层单层折射率为1.6~2.1之间;

c)在经过镀膜工艺生成的第二SiO2膜层表面沉积SiNxOy膜层,厚度为30~500nm,通入工艺气体包含N2,O2,Ar;SiNxOy膜层单层折射率为1.6~2.1之间,三层膜层综合折射率为1.5~2.0;x>0,0<y<2;其中x是:SiNxOy分子式中N原子的数目,y是:SiNxOy分子式中O原子的数目,使用玻璃时成品量测透过率大于91%,测试光学透过率时使用的光波长为550nm;

第二种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为:

a)首先在基板材料上表面沉积第一SiO2膜层,厚50~400nm,镀膜工艺条件电压300V~500V,通入工艺气体包含N2,O2,Ar;SiO2 膜层单层折射率为1.6~2.1之间;

b)在经过镀膜工艺生成的第一SiO2 膜层表面沉积SiNxOy膜层,厚度为30~500nm,通入工艺气体包含N2,O2,Ar;SiNxOy膜层单层折射率为1.6~2.1之间;生成的SiNxOy分子式中x>0,0<y<2,其中x是SiNxOy分子式中N原子的数目,y是:SiNxOy分子式中O原子的数目;

c)在经过镀膜工艺生成的第二SiNxOy膜层表面沉积SiO2 膜层,厚度为30~500nm,通入工艺气体包含N2,O2,Ar;SiO2 膜层单层折射率为1.6~2.1之间,三层膜层综合折射率为1.5~2.0;使用玻璃时成品量测透过率大于91%,测试光学透过率时使用的光波长是550nm;

第三种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为:

a)首先在基板材料表面沉积SiNxOy膜层,厚度为30~500nm,通入工艺气体包含N2,O2,Ar;SiNxOy膜层单层折射率为1.6~2.1之间,生成的SiNxOy分子式中x>0,0<y<2;

b)在经过镀膜工艺生成的第一SiNxOy膜层表面沉积SiO2 膜层,厚度为30~500nm,通入工艺气体包含N2,O2,Ar;SiO2 膜层单层折射率为1.6~2.1之间;

c)在经过镀膜工艺生成的第二SiO2 膜层表面沉积SiO2 膜层,厚度为30~500nm,通入

工艺气体包含N2,O2,Ar;SiO2 膜层单层折射率为1.6~2.1之间,三层膜层综合折射率为1.5~2.0;使用玻璃时成品量测透过率大于91%,测试光学透过率时使用的光波长是550nm;

步骤三、在完成了SiO2 膜层、SiNxOy膜层沉积的基板材料的顶层上面可以沉积一层透

明导电层(TCO),透明导电层(TCO)可采用AZO(掺铝氧化锌导电膜)、ITO(Indium Tin Oxides 氧化铟锡导电薄膜)、FTO(掺杂氟的SnO2导电膜)、或YZO(氧化锌掺钇透明导电薄膜)透明导电层。

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