[发明专利]一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法无效

专利信息
申请号: 201210467701.7 申请日: 2012-11-19
公开(公告)号: CN102942308A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 彭钰;李冬;郭元元 申请(专利权)人: 天津市中环高科技有限公司
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34
代理公司: 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人: 莫琪
地址: 300385 天津*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 透明 材质 分层 氮化 sinxoy 方法
【说明书】:

技术领域

    本发明涉及表面装饰技术,特别涉及一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法,使用分层SiNxOy成膜代替传统消影ITO(Nb2O5)膜,使透明材质的产品提高穿透率,降低反射率,达到消除视觉上ITO(透明导电薄膜)导电层的反射亮点的效果。

背景技术

   随着触摸屏在科技、商业以及日常生活的广泛应用, 触摸屏使用量增多,尤其是在高中端市场,高透过率、高灵敏度的触摸屏的良好使用体验效果,促使大家对的触摸屏的高透过率、高灵敏度等特性进行研发。

    在现有技术中,提高透明玻璃的透过率、减少反射的传统方法是:使用含有稀有金属Nb的物质,使用溅射方式在透明玻璃表面成膜,从而使透明玻璃达到提高透过率、减少反射的效果。

    由于稀有金属Nb(铌)资源有限,此方式会对人类赖以生存的生态环境照成破坏,生产成本较高。为改善此种情况,需要一种采用普通材料替代含有稀有金属Nb物质在透明材质表面成膜的新工艺,比如采用氮化硅SiNxOy成膜,现在国内所有厂商均使用含稀有金属Nb的靶材,以溅射方式来完成减少透明材料反射,目前,国内文献中尚未有在透明材质表面使用分层SiNxOy成膜工艺的报道,也没有应用分层SiNxOy成膜工艺改善的透明材质透过率及减少反射的数据的报道。

发明内容

    本发明的目的就是针对透明材质的成膜工艺的需要,提供一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法,使用SiNxOy层和SiO2 层来减少反射方法,不仅能提高透明材质透过率、减少反射,而且能充分利用现有机械设备进行工业化生产,从而提高工业设备使用效率,降低原材料成本,提供产品竞争力。

   本发明是通过这样的技术方案实现的:一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法,其特征在于,以透明材料为基板材料,采用沉积薄膜的方法在基板材料表面沉积两层SiO2 膜层和一层SiNxOy膜层;通过SiNxOy层和SiO2 层光学膜系配比设计(入射光和反射光通过不同膜层之间折射率的不同,产生出不同的光学效果),经分层氮化硅(SiNxOy)的成膜,使透明玻璃成品的透过率提高、反射率减小,所述方法包括如下次序步骤: 

步骤一、选取素透明材质基板或带透明导电膜层的透明材质为基板材料;

步骤二、在基板材料表面沉积第一SiO2  膜层、第二SiO2 膜层和SiNxOy膜层,根据在基板材料沉积三个膜层的顺序不同,形成三种膜层结构的产品,其中:

 第一种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为:

a)      首先在基板材料表面沉积第一SiO2  膜层,厚50~400nm,镀膜工艺条件电压300V~500V,通入工艺气体包含N2(氮气),O2(氧气),Ar(氩气), SiO2 膜层单层折射率为1.6~2.1之间;

b)      在经过镀膜工艺生成的第一SiO2  膜层表面沉积第二SiO2膜层,膜厚50~400nm,镀膜工艺条件电压300V~500V,通入工艺气体包含N2(氮气),O2(氧气),Ar(氩气),SiO2 膜层单层折射率为1.6~2.1之间;

c)      在经过镀膜工艺生成的第二SiO2膜层表面沉积SiNxOy膜层,厚度为30~500nm,通入工艺气体包含N2(氮气),O2(氧气),Ar(氩气);SiNxOy膜层单层折射率为1.6~2.1之间;三层膜层综合折射率为1.5~2.0;x>0,0<y<2;其中x是:SiNxOy分子式中N原子的数目;y是:SiNxOy分子式中O原子的数目,使用玻璃时成品量测透过率大于91%,测试光学透过率时使用的光波长是550nm;

    第二种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为:

a)      首先在基板材料上表面沉积第一SiO2  膜层,厚50~400nm,镀膜工艺条件电压300V~500V,通入工艺气体包含N2(氮气),O2(氧气),Ar(氩气);SiO2 膜层单层折射率为1.6~2.1之间;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津市中环高科技有限公司,未经天津市中环高科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210467701.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top