[发明专利]具有沟槽场板的FinFET有效
| 申请号： | 201210469964.1 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103545372A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 伍震威;周学良;苏柏智;柳瑞兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 finfet | ||
1.一种集成电路器件，包括：
衬垫层，具有横向紧邻的第一掺杂类型的主体部分和第二掺杂类型的漂移区部分；
沟槽，形成在所述衬垫层中，所述沟槽延伸穿过所述主体部分和所述漂移区部分的界面；
栅极，沿着所述主体部分和所述漂移区部分的所述界面形成在所述沟槽中和所述衬垫层的顶面上方；
介电材料，形成在所述栅极的相对侧的所述沟槽中；以及
场板，内嵌在所述栅极的相对侧中的一侧的所述介电材料中。
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，源极至少部分形成在紧邻所述衬垫层的所述主体部分的所述沟槽中。
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述沟槽的最长边与所述栅极的最长边垂直。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述沟槽的最长边与所述主体部分和所述漂移区部分的所述界面垂直。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，形成在所述沟槽中的所述介电材料设置在沟槽侧壁和沟槽底面中的至少一个上。
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，形成在所述沟槽中的所述介电材料被设置在栅极侧壁上。
7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述栅极和所述场板均由多晶硅材料形成。
8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述沟槽的深度小于所述栅极的高度。
9.一种集成电路器件，包括：
衬底；
衬垫层，由所述衬底支撑，所述衬垫层具有横向紧邻的第一掺杂类型的主体部分和第二掺杂类型的漂移区部分；
沟槽，形成在所述衬垫层中，所述沟槽延伸穿过所述主体部分和所述漂移区部分的界面；
栅极，形成在所述沟槽中和所述衬垫层的顶面的一部分上方，所述栅极沿着所述主体部分和所述漂移区部分的所述界面延伸；
介电材料，形成在所述栅极的相对侧的所述沟槽中；以及
场板材料，内嵌在所述栅极的源极侧和漏极侧的所述介电材料中，位于所述栅极的所述漏极侧的所述场板材料被配置成用作场板。
10.一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法，包括：
在具有横向紧接的第一掺杂类型的主体部分和第二掺杂类型的漂移区部分的衬垫层中形成沟槽，所述沟槽延伸穿过所述主体部分和所述漂移区部分的界面；
沿着所述主体部分和所述漂移区部分的所述界面在所述沟槽中和所述衬垫层的顶面上方形成栅极；
在所述栅极的相对侧的所述沟槽中沉积介电材料；以及
将场板内嵌在所述栅极的相对侧中的一侧的所述介电材料中。
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