[发明专利]发光二极管晶圆切割方法有效
| 申请号： | 201210472442.7 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102990229A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 高昆;叶树铃;庄昌辉;陈红;邴虹;李瑜;高云峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市大族激光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;H01L21/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 切割 方法 | ||
1.一种发光二极管晶圆切割方法，其特征在于，包括以下步骤：
在发光二极管晶圆的衬底背面镀全方位反射镜层；
对所述全方位反射镜层进行紫外激光切割，切割深度大于或等于所述全方位反射镜层的厚度；
在所述紫外激光切割形成的沟道内进行隐形激光切割。
2.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆切割方法，其特征在于，对所述全方位反射镜层进行紫外激光切割步骤前，包括对发光二极管晶圆贴膜的步骤。
3.根据权利要求2所述的发光二极管晶圆切割方法，其特征在于，所述对发光二极管晶圆贴膜步骤后包括对所述发光二极管晶圆进行切割定位的步骤。
4.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆切割方法，其特征在于，对所述全方位反射镜层进行紫外激光切割步骤的同时包括对所述发光二极管晶圆进行吹气保护的步骤。
5.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆切割方法，其特征在于，所述切割深度与所述全方位反射镜层的厚度相同。
6.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆切割方法，其特征在于，所述紫外激光切割为沿预设切割道进行切割，所述预设切割道包括第一方向切割道和第二方向切割道，所述第一方向切割道与第二方向切割道垂直。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的发光二极管晶圆切割方法，其特征在于，所述在所述紫外激光切割形成的沟道内进行隐形激光切割步骤后包括对进行所述隐形激光切割后的发光二极管晶圆进行裂片的步骤。
8.根据权利要求7所述的发光二极管晶圆切割方法，其特征在于，所述对进行所述隐形激光切割后的发光二极管晶圆进行裂片步骤后包括对所述发光二极管晶圆进行倒模的步骤。
9.根据权利要求8所述的发光二极管晶圆切割方法，其特征在于，所述对所述发光二极管晶圆进行倒模步骤后包括对发光二极管晶圆进行扩膜的步骤。
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