[发明专利]发光二极管晶圆切割方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种发光二极管晶圆切割方法。

背景技术

LED（Light Emitting Diode，发光二极管）晶圆是LED的核心部分，LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数都与晶圆有关，LED的相关电路元件的加工与制作都是在晶圆（wafer）上完成的。在应用封装之前需要将晶圆切割成更小尺寸的单颗芯片（die），传统的切割方式是采用砂轮、钻石刀等机械加工，效率低、成本高。

随着市场需求的不断增加，LED制造业对产能、成品率和封装后的发光亮度衰减的要求越来越高。激光加工技术已经成为LED制造业首要的工具，成为高亮度LED晶圆加工的行业标准。利用紫外激光切割技术，即采用紫外激光非接触式激光冷加工技术对LED晶圆进行切割已成为主要的切割方法，但由于用紫外激光切割LED晶圆内部时会在切割道内残留焦化的碎屑，使晶圆片的结构发生变化，被较大范围烧灼变黑，从而影响了光的反射，会增大LED晶圆封装后的亮度衰减。

发明内容

基于此，有必要提供一种能避免在切割道内残留碎屑、减小亮度衰减的发光二极管晶圆切割方法。

一种发光二极管晶圆切割方法，包括以下步骤：在发光二极管晶圆的衬底背面镀全方位反射镜层；对所述全方位反射镜层进行紫外激光切割，切割深度大于或等于所述全方位反射镜层的厚度；在所述紫外激光切割形成的沟道内进行隐形激光切割。

在其中一个实施例中，对所述全方位反射镜层进行紫外激光切割步骤前，包括对发光二极管晶圆贴膜的步骤。

在其中一个实施例中，所述对发光二极管晶圆贴膜步骤后包括对所述发光二极管晶圆进行切割定位的步骤。

在其中一个实施例中，对所述全方位反射镜层进行紫外激光切割步骤的同时包括对所述发光二极管晶圆进行吹气保护的步骤。

在其中一个实施例中，所述切割深度与所述全方位反射镜层的厚度相同。

在其中一个实施例中，所述紫外激光切割为沿预设切割道进行切割，所述预设切割道包括第一方向切割道和第二方向切割道，所述第一方向切割道与第二方向切割道垂直。

在其中一个实施例中，所述在所述紫外激光切割形成的沟道内进行隐形激光切割步骤后包括对进行所述隐形激光切割后的发光二极管晶圆进行裂片的步骤。

在其中一个实施例中，所述对进行所述隐形激光切割后的发光二极管晶圆进行裂片步骤后包括对所述发光二极管晶圆进行倒模的步骤。

在其中一个实施例中，所述对所述发光二极管晶圆进行倒模步骤后包括对发光二极管晶圆进行扩膜的步骤。

上述LED晶圆切割方法，通过对LED晶圆镀全方位反射镜层，可提高LED晶圆封装后的发光亮度，在对全方位反射镜层进行紫外激光切割后形成的沟道中对LED晶圆衬底进行隐形激光切割，将激光汇聚于LED晶圆内部，在LED晶圆内部形成变质层，抑制加工碎屑的产生，在LED晶圆总发光亮度不变的情况下进一步提高了LED晶圆封装后的发光亮度，减小亮度衰减。

附图说明

图1为一实施例中发光二极管晶圆切割方法的流程图；

图2为一实施例中镀有全方位反射镜层的发光二极管晶圆的正视图；

图3为一实施例中设置有预设切割道的发光二极管晶圆的俯视图；

图4为一实施例中进行紫外激光切割后的发光二极管晶圆的正视图；

图5为一实施例中进行隐形激光切割后的发光二极管晶圆的正视图；

图6为另一实施例中发光二极管晶圆切割方法的流程图。

具体实施方式

一种发光二极管晶圆切割方法，如图1所示，包括以下步骤：

步骤S110：在发光二极管晶圆的衬底背面镀全方位反射镜（Omnidirectionalreflector，ODR）层。

LED晶圆的衬底指晶格结构的基底材料，基底材料可以是蓝宝石、碳化硅或硅等，LED晶圆包括衬底及在衬底正面采用有机金属化学气相沉积方法依次生长出的薄膜，例如N型氮化镓层和P型氮化镓层，还包括对P型氮化镓层部分刻蚀后在N型氮化镓层上设置的N电极和在未刻蚀的P型氮化镓层上设置的P电极。如图2所示，本实施例中可利用蒸镀机在LED晶圆衬底110背面蒸镀全方位反射镜层120，全方位反射镜层120可以是金属层，通过蒸镀全方位反射镜层120提高LED晶圆封装后的发光亮度。

步骤S140：对全方位反射镜层进行紫外激光切割，切割深度大于全方位反射镜层的厚度。