[发明专利]一种黑色异质结晶硅电池及其制造方法

权利要求书

1.一种黑色异质结晶硅电池，其特征在于：依次包括第一金属电极、第一导电薄膜、P型非晶硅层、第一本征非晶硅层、硅片、第二本征非晶硅层、N型非晶硅层、第二导电薄膜、第二金属电极；所述第一导电薄膜和第二导电薄膜为多晶掺硼ZnO薄膜。

2.根据权利要求1所述的黑色异质结晶硅电池，其特征在于：所述硅片为表面平整的N型硅片或者P型硅片。

3.根据权利要求1所述的黑色异质结晶硅电池，其特征在于：所述第一导电薄膜厚度为500～2000nm，所述第二导电薄膜厚度为500～2000nm。

4.根据权利要求1所述的黑色异质结晶硅电池，其特征在于：所述第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层的厚度为5～15nm。

5.根据权利要求1所述的黑色异质结晶硅电池，其特征在于：所述P型非晶硅层厚度为5～10nm，所述N型非晶硅层厚度为5～20nm。

6.根据权利要求1所述的黑色异质结晶硅电池，其特征在于：所述第一金属电极与第二金属电极均为金属栅线结构。

7.根据权利要求1所述的黑色异质结晶硅电池，其特征在于：所述第一导电薄膜厚度为500～2000nm，所述第二导电薄膜厚度为100～300nm，所述第一金属电极为金属栅线结构，所述第二金属电极为金属全覆盖结构。

8.根据权利要求6或7所述的黑色异质结晶硅电池，其特征在于：所述第一金属电极与第二金属电极由Pt、Au、Ag、Cu、Al、Ni或者其合金制成。

9.一种黑色异质结晶硅电池的制造方法，其特征在于，包括步骤如下：

A．硅片表面预处理；

B．采用等离子体增强化学沉积对硅片进行双面的本征非晶硅层镀膜；

C．采用等离子体增强化学沉积对电池片正面沉积P型非晶硅层，对电池片反面沉积N型非晶硅层；

D．采用低压化学气相沉积的方法对电池片正、反两面生长ZnO薄膜，采用B₂H₆或者三甲基硼对ZnO进行掺杂；

E．对电池正、反两面导电薄膜上丝网印刷金属栅线。

10.根据权利要求9所述的黑色异质结晶硅电池的制造方法，其特征在于：所述步骤E为对电池正面导电薄膜上丝网印刷金属栅线，对电池反面导电薄膜上热蒸发全覆盖金属层。

11.根据权利要求9或10所述的黑色异质结晶硅电池的制造方法，其特征在于：所述步骤A表面预处理为硅片表面化学抛光处理，所述化学抛光处理是采用HNO₃和HF的酸抛光工艺或者是采用KOH或者NaOH的碱抛光工艺进行抛光处理。

12.根据权利要求9或10所述的黑色异质结晶硅电池的制造方法，其特征在于：所述步骤D中低压化学气相沉积采用的反应气体为二乙基锌和水。

13.根据权利要求9或10所述的黑色异质结晶硅电池的制造方法，其特征在于：步骤B中，采用SiH₄和H₂混合气体实现镀膜，沉积温度小于等于200℃。

14.根据权利要求9或10所述的黑色异质结晶硅电池的制造方法，其特征在于：步骤C中，沉积P型非晶硅层采用SiH₄、H₂和B₂H₆混合气体并添加CH4或者CO₂；沉积N型非晶硅层采用SiH₄、H₂和PH₃混合气体或者采用SiH₄、H₂、PH₃和CO₂混合气体。