[发明专利]场发射光源结构

权利要求书

1.一种场发射光源结构，其包括阴极基板、阳极基板及位于所述阴极基板和阳极基板之间的基板隔离体，其特征在于，所述基板隔离体的横截面为环状长方形，该横截面的内角圆弧过渡，所述阴极基板和阳极基板相互对准，所述基板隔离体放置于所述阴极基板和阳极基板之间，且所述基板隔离体与所述阴极基板的交接处到该阴极基板边缘的距离相等，所述基板隔离体与所述阳极基板的交接处到该阳极基板边缘的距离相等。

2.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述基板隔离体为两端贯通的中空长方体状，其横截面为环状正方形，该基板隔离体的横截面其中，外正方形的边长为80毫米，该基板隔离体的内正方形的边长为70毫米，该基板隔离体30的厚度为5毫米，高度为1毫米。

3.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述基板隔离体的相邻两个内表面之间为四分之一圆弧过渡，使得该基板隔离体的四个内角区域呈现为四分之一圆弧形转角。

4.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述基板隔离体由具有特定刚度的绝缘材料制成。

5.根据权利要求4所述的场发射光源结构，其特征在于，所述基板隔离体由陶瓷、玻璃或碳化硼制成。

6.根据权利要求5所述的场发射光源结构，其特征在于，所述基板隔离体的材料为氧化铝含量为94%的陶瓷。

7.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述基板隔离体通过封接材料密封固定于所述阴极基板和阳极基板之间，从而围成一长方体状的密封容置空间，该阴极基板与所述阳极基板的边缘及二者的中心分别相互对齐，且所述基板隔离体的侧边与所述阴极基板和阳极基板的侧边之间的垂直距离为10毫米。

8.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述基板隔离体置于位于上述阴极基板和阳极基板之间，该阴极基板与所述阳极基板的边缘和中心分别相互对齐，所述基板隔离体的各边与所述阴极基板和阳极基板的边分别平行，所述基板隔离体与所述阴极基板的交接线到该阴极基板边缘的垂直距离为10毫米，该基板隔离体与所述阳极基板的交接线到该阳极基板边缘的垂直距离为10毫米。

9.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述阴极基板与阳极基板为长方体板状，其横截面为边长为100毫米的正方形，该阴极基板和阳极基板由玻璃制成，所述基板隔离体的各边与所述阴极基板和阳极基板的边分别对应平行，且所述基板隔离体与所述阴极基板和所述阳极基板位于同一中心轴线上。

10.根据权利要求1所述的场发射光源结构，其特征在于，所述场发射光源结构还包括发射体及发光层，该发射体设置于所述阴极基板的中部位置处，该发射体用于在电场的作用下激发产生电子，所述发光层设置于所述阳极基板的中部位置处，并对准上述发射体，所述发射体产生的电子在所述阴极基板和阳极基板之间电场驱动下撞击上述发光层。