[发明专利]绝缘隐埋层中有带电区的衬底有效
| 申请号： | 201210480105.2 | 申请日： | 2008-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102983167A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | F·阿利贝尔;G·戈丹;F·拉勒芒;D·朗德吕;K·朗德里;M·沙欣;C·马聚 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/32 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 隐埋层中有 带电 衬底 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，包括：
-连续包括基底晶片（1）、绝缘层（2）和半导体顶层（3）的衬底，
-所述半导体顶层（3）上的图像传感器器件，
所述半导体结构的特征在于，所述绝缘层（2）包括电荷密度的绝对值在1010电荷/cm2以上的区域。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层（2）包括两个扩散阻挡层（6）之间的电荷限制层（5），其中所述电荷限制层（5）的电荷密度的绝对值在1010电荷/cm2以上。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述电荷限制层（5）由氮化硅制成，所述扩散阻挡层由二氧化硅制成。
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述电荷限制层（5）由二氧化硅制成，所述扩散阻挡层（6）由氮化硅制成。
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