[发明专利]制造薄膜晶体管基板及使用它的有机发光显示装置的方法有效

专利信息
申请号: 201210480972.6 申请日: 2012-11-23
公开(公告)号: CN103311455A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 赵允东;朴钟贤;尹洙荣;李美贞;崔在暻 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;钟强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 制造 薄膜晶体管 使用 有机 发光 显示装置 方法
【权利要求书】:

1.一种制造薄膜晶体管基板的方法,包括:

直接在玻璃基板上形成聚合物层;

在所述聚合物层上形成钝化层;

在所述钝化层上形成薄膜晶体管阵列;以及

从所述玻璃基板的后表面向所述聚合物层照射激光,将所述玻璃基板与所述聚合物层分离。

2.如权利要求1所述的方法,其中所述聚合物层包括具有第一化学式的聚酰亚胺(PI)材料,

[第一化学式]

其中X为烷基、芳基、烷氧基、酰基、芳烷基、氨基、芳氨基、烷氨基、芳烷氨基、烷氧基、芳氧基或芳烷氧基,

其中m为等于或大于1并且等于或小于10000的整数,并且

其中Y为由第二化学式表示的二价芳基部分,

[第二化学式]

其中Z选自由羰基、磷酸基、酸酐基、硫醇基以及它们的混和物组成的组。

3.如权利要求2所述的方法,其中X包括-O-、-CO-、-S-、-SO2-、-C(CH3)2-、-CONH-、-(CH2)n1-、-O(CH2)n2O-、-COO(CH2)n3OCO-以及卤素的至少之一,并且n1、n2和n3各独立地为等于或大于1且等于或小于100的整数。

4.如权利要求1所述的方法,其中所述薄膜晶体管阵列包括栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体层,并且所述半导体层包括无定型硅和/或多晶硅。

5.如权利要求4所述的方法,其中通过将温度升至大约400℃至大约500℃的范围,使半导体层的部分结晶。

6.如权利要求1所述的方法,其中所述玻璃基板是可重复利用的。

7.一种制造有机发光显示装置的方法,包括:

直接在玻璃基板上形成聚合物层;

在所述聚合物层上形成钝化层;

在所述钝化层上形成薄膜晶体管阵列;

形成电连接至所述薄膜晶体管阵列的第一电极;

在所述第一电极上形成有机发光层和第二电极;以及

从所述玻璃基板的后表面向所述聚合物层照射激光,将所述玻璃基板与所述聚合物层分离。

8.如权利要求7所述的方法,其中薄膜晶体管阵列包括栅极电极、源极电极、漏极电极以及与所述源极电极和所述漏极电极接触的半导体层,并且所述第一电极电连接至所述源极电极和所述漏极电极之一。

9.如权利要求7所述的方法,其中所述聚合物层包括具有第一化学式的聚酰亚胺(PI)的材料,

[第一化学式]

其中X为烷基、芳基、烷氧基、酰基、芳烷基、氨基、芳氨基、烷氨基、芳烷氨基、烷氧基、芳氧基或芳烷氧基,

其中m为等于或大于1并且等于或小于10000的整数,并且

其中Y为由第二化学式表示的二价芳基部分,

[第二化学式]

其中Z选自由羰基、磷酸基、酸酐基、硫醇基以及它们的混和物组成的组。

10.如权利要求9所述的方法,其中X包括-O-、-CO-、-S-、-SO2-、-C(CH3)2-、-CONH-、-(CH2)n1-、-O(CH2)n2O-、-COO(CH2)n3OCO-以及卤素的至少之一,并且n1、n2和n3各独立地为等于或大于1且等于或小于100的整数。

11.如权利要求7所述的方法,其中所述半导体层包括无定型硅和/或多晶硅。

12.如权利要求11所述的方法,其中通过将温度升至大约400℃至大约500℃的范围,使半导体层的部分结晶。

13.如权利要求7所述的方法,其中所述玻璃基板是可重复利用的。

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