[发明专利]制造薄膜晶体管基板及使用它的有机发光显示装置的方法

说明书

技术领域

本发明涉及制造薄膜晶体管基板的方法及制造采用该薄膜晶体管基板的有机发光显示装置的方法，更具体地，本发明涉及制造薄膜晶体管基板的方法及制造采用该薄膜晶体管基板的有机发光显示装置而获得柔性显示器的方法。

背景技术

近年来，已经开发了诸如有机发光显示(OLED)装置、液晶显示(LCD)装置、电泳显示(EPD)装置、等离子显示板(PDP)装置、薄膜晶体管(TFT)、微处理器以及随机存取存储器(RAM)的多媒体装置，因此柔性电气元件变得更加重要。就各种显示装置而言，是否能够将典型的薄膜晶体管(TFT)工艺用于最可能是柔性显示器的有源矩阵有机发光显示(AMOLED)装置一直是工业界关心的问题。

尤其是，诸如数字式相机、摄像机、个人数字助理(PAD)以及便携式电话之类的移动装置需要诸如外形薄、重量轻以及不易破损的性质。因此，采用薄玻璃基板来制造平板显示器(FPD)。或者，在采用常规玻璃基板制造FPD后，通过机械方法或化学方法减小该常规玻璃基板的厚度。

用于FPD的常规玻璃基板的优点是形成电极或TFT的工艺稳定。然而，由于常规玻璃基板硬且重，所以它作为用于移动通信显示器的柔性显示器来说并不满足要求。因此，提出了用于柔性显示器的透明且柔韧的塑料基板。

然而，塑料基板只在大约150℃至大约200℃的相对低的范围保持耐热性。由于难以通过使用氧化铟锡(ITO)的溅射方法来热处理在塑料基板上形成的透明电极，所以在减小透明电极的电阻率方面存在一些限制。此外，与聚合物塑料基板的热膨胀系数相比，ITO电极的热膨胀系数较小，由于在制造工艺或在FPD的操作过程中的热历程长，ITO电极与塑料基板以彼此不同的速率膨胀。结果，塑料基板变形。尤其是，在低温多晶硅(LTPS)的制造工艺中，由于基板的温度升高至大约400℃至大约500℃的范围，因此难于采用塑料基板。

此外，由于塑料基板的强度相对低，塑料基板易破碎或破裂。此外，塑料基板会弯曲，并且在塑料基板上的电极的电阻会升高。

为了解决上述问题，提出了使用载体基板的方法。在诸如玻璃基板的载体基板上形成分离层后，通过涂覆塑料材料，在该分离层上形成塑料基板，且在该塑料基板上形成薄膜晶体管阵列。接下来，将该塑料基板与该玻璃基板分离。

然而，上述使用载体基板的方法存在形成额外的分离层的缺点。此外，由于塑料基板的性质的缘故，载体基板难于支撑重量，因此难于处理该塑料基板。

发明内容

本发明涉及一种制造薄膜晶体管基板及采用该薄膜晶体管基板的有机发光显示器的方法，所述方法避免了由于现有技术的局限及缺点造成的一个或多个问题。

本发明的优点之一在于提供一种制造薄膜晶体管基板及采用该薄膜晶体管基板的有机发光显示器的方法，在该方法中无需形成分离层和粘接层的额外的工序而获得柔性显示器，并且改善了由于杂质引起的劣化。

本发明的其它特点和优点将在此处的说明书的描述中列出，这些特点和优点的一些根据说明书的描述将是显而易见的，或者可从本发明的实践中领会到。本发明的这些和其它优点可以通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构实现并获得。

一方面，为了实现这些以及其它优点，并依据本发明的一些目的，一种制造薄膜晶体管基板的方法可以包括：在玻璃基板上形成聚合物层；在所述聚合物层上形成钝化层；在所述钝化层上形成薄膜晶体管阵列；以及从所述玻璃基板的后表面照射激光，将所述玻璃基板与所述聚合物层分离。

另一方面，一种制造有机发光显示装置的方法可以包括：在玻璃基板上形成聚合物层；在所述聚合物层上形成钝化层；在所述钝化层上形成薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管阵列包括栅极电极、源极电极、漏极电极以及与所述源极电极和所述漏极电极接触的半导体层；形成电连接至所述源极电极和所述漏极电极之一的第一电极；在所述第一电极上形成有机发光层和第二电极；以及从所述玻璃基板的后表面照射激光，将所述玻璃基板与所述聚合物层分离。

在另一方面，一种有机发光显示装置可以包括：聚合物层，所述聚合物层包括具有由第一化学式表示的重复单元的聚酰亚胺(PI)材料；在所述聚合物层上的钝化层；在所述钝化层上的包括栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体层的薄膜晶体管阵列；电连接至所述源极电极和所述漏极电极之一的第一电极；有机发光层和第二电极。

[第一化学式]