[发明专利]半导体装置、半导体装置制造方法及电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置制造方法，所述制造方法包括第一工艺，

所述第一工艺形成阻挡金属膜并且在形成所述阻挡金属膜之前利用溅射气体来执行物理蚀刻，所述第一工艺是在与第一开口的下部相连的配线及与第二开口的下部相连的配线上同时执行的工艺，所述第一开口及所述第二开口形成于通过将第一半导体基板与第二半导体基板相互接合而得到的半导体基板中，所述第一开口和所述第二开口作为具有彼此不同的纵横比的第一开口和第二开口，

在形成所述阻挡金属膜且执行所述物理蚀刻之后，执行籽晶膜形成工艺，以在所述第一开口和所述第二开口的表面上形成籽晶层，

其中，所述方法还包括在所述第一工艺之前对所述第一开口和所述第二开口执行氢气清洁工艺。

2.如权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中，所述第一开口是贯穿所述第一半导体基板的贯穿连接孔，而所述第二开口是所述第一半导体基板中的连接孔。

3.如权利要求2所述的半导体装置制造方法，其中，在所述第一工艺中，特意地对作为高纵横比孔的所述第一开口的孔底部执行所述物理蚀刻，并且不特意地对作为所需钻孔量小的低纵横比孔的所述第二开口的孔底部执行所述物理蚀刻。

4.如权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中，所述第一开口和所述第二开口是具有彼此相等的高度及彼此不同的纵横比的连接孔。

5.如权利要求1至4任一项所述的半导体装置制造方法，其中，在所述第一工艺期间，在所述物理蚀刻之后仅形成所述阻挡金属膜，形成所述阻挡金属膜与所述物理蚀刻是在同一腔室中执行的。

6.如权利要求1至4任一项所述的半导体装置制造方法，在所述第一工艺之前还包括连接孔形成工艺，其中，所述连接孔形成工艺从所述第一半导体基板的背面侧形成具有彼此不同的纵横比的所述第一开口和所述第二开口。

7.一种半导体装置，所述半导体装置是采用如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置制造方法制造的。

8.一种电子设备，所述电子设备包括如权利要求7所述的半导体装置。