[发明专利]半导体装置、半导体装置制造方法及电子设备

说明书

本发明涉及半导体装置、半导体装置制造方法及电子设备。所述半导体装置制造方法包括锚定工艺，所述锚定工艺用于形成阻挡金属膜并利用溅射气体来执行物理蚀刻。所述锚定工艺是在与第一开口的下部相连的配线及与第二开口的下部相连的配线上同时被执行的。所述第一开口用作贯穿连接孔，而所述第二开口用作具有与所述贯穿连接孔的纵横比不同的纵横比的连接孔。所述第一开口及所述第二开口是形成于通过将第一半导体基板与第二半导体基板相互接合而得到的半导体基板中的开口。本技术能够被应用于例如固体摄像装置等半导体装置。根据本发明，能够执行对于与纵横比彼此不同的多个孔的下部相连的各配线而言最佳的处理。

相关申请的交叉参考

本发明包含与在2011年11月30日向日本专利局提出的日本优先权专利申请JP2011-261331中所披露的主题相关的主题，在此将该日本优先权专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本技术涉及一种半导体装置、一种用于制造所述半导体装置的方法以及一种采用所述半导体装置的电子设备。更具体而言，本技术涉及一种使得能够执行对于与纵横比（aspect ratio）彼此不同的多个孔的下部相连的配线而言最佳的处理的半导体装置，并且涉及一种用于制造所述半导体装置的方法，还涉及一种采用所述半导体装置的电子设备。

背景技术

放大型固体摄像装置作为一种固体摄像装置而为人所知。放大型固体摄像装置的代表性实例是互补型金属氧化物半导体（ComplementaryMetal Oxide Semiconductor；CMOS）图像传感器。另外，电荷转移型固体摄像装置也为人所知。电荷转移型固体摄像装置的典型实例是电荷耦合器件（Charge Couple Device；CCD）图像传感器。这些固体摄像装置广泛用于例如数码照相机及数码摄像机等电子设备中。近年来，在例如其中嵌置有照相机的移动电话以及个人数字助理（Personal DigitalAssistant；PDA）等一些移动设备中，使用CMOS图像传感器或MOS固体摄像装置作为固体摄像装置，这是因为这些CMOS图像传感器或这些MOS固体摄像装置表现出例如供电电压低及功耗小等优点。

MOS固体摄像装置被构造成包括像素区域以及环绕所述像素区域的周边电路区域。像素区域包括被布置得形成二维阵列的多个单元像素。每一单元像素均被构造成包括光电二极管以及多个像素晶体管，其中所述光电二极管用作光电转换部。这些像素晶体管各者均为MOS晶体管。通常，单元像素采用三个像素晶体管。这三个像素晶体管分别为传输晶体管、复位晶体管以及放大晶体管。在某些情形中，单元像素采用四个像素晶体管，它们除了包括传输晶体管、复位晶体管以及放大晶体管之外还包括选择晶体管。

曾经提出了一些这样的MOS固体摄像装置，它们每一者被构造成用作包括彼此电连接的第一半导体基板与第二半导体基板的器件。在第一半导体基板中，形成有包括多个像素的像素区域。另一方面，在第二半导体基板中，形成有用于处理信号的逻辑电路。例如，本技术的发明人曾经提出一种半导体装置，该半导体装置披露于日本专利特开第2010-245506号公报中。所提出的该半导体装置具有这样的构造：第一半导体基板与第二半导体基板粘贴于彼此之上以提供小的厚度或形成薄膜，并且彼此电连接。

发明内容

在具有如上所述的构造（其中有两个半导体基板粘贴在彼此之上且彼此电连接）的半导体装置中，存在有纵横比互不相同的多个连接孔。通常，这些连接孔包括贯穿粘贴在彼此之上的所述两个半导体基板的深孔以及仅穿过所述两个半导体基板中的一个半导体基板的浅孔。

如果必须同时对具有彼此不同的纵横比的各连接孔执行例如蚀刻工艺等处理，则由于纵横比不同，需要根据不同的孔而设定不同的处理最佳量。如此一来，会导致无法执行对于深连接孔和浅连接孔而言最佳的处理的问题。

鉴于此，本技术旨在提供能够执行对于与具有彼此不同的纵横比的多个孔的下部相连的各配线而言最佳的处理的能力。