[发明专利]关键尺寸的测量方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种关键尺寸的测量方法。

背景技术

集成电路的快速发展，对光刻工艺的要求也越来越高，其中，关键尺寸（Critical Dimension，CD）是一个非常重要的参数，其表征工艺的图形处理精度。

在关键尺寸的测量过程中，涉及到如下几个特征：精确度（precision），可重复性（repeatability），可再现性（reproducibility），稳定性（stability）及标准偏差（standard deviation）。目前的测量技术多为采用特征尺寸扫描电子显微镜（CD-SEM）进行测量，这是由于CD-SEM可以提供更高质量的数据，并且可以用于器件生产过程中的所有阶段，一旦发现任何问题，都能轻松地追溯到其根源。

如图1所示，目前的测量方法为：首先，粗调晶圆的位置，获得定位区域1；接着通过预设的程序或者手动输入目标地址来达到测量点2。然而，目前的测量方法还存在不少需要改进的地方，比如由于待测量部分的结构较复杂，或是缺少相关对准图形之类的情况，就容易使得所述可重复性遇到问题，即对于同一位置，需要对其进行多次重复测量，从而消除随时间产生的诸如样品台、电子束等系统性飘逸。但是，目前的测量方法对于某些图形而言，会出现一次或多次不能够测量到同一位置，也就是定位漂移现象，这就不能够清楚所测量的结果如何，这在生产过程而言显然要冒一定的风险。

发明内容

本发明的目的在于提供一种关键尺寸的测量方法，以解决现有方法不能够准确的表达可重复性的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种关键尺寸的测量方法，对测量点进行测量，包括：

在第一放大倍率时获得定位区域；

在第二放大倍率下获得辅助定位点，反复扫描所述辅助定位点，形成阴影区；

在第三放大倍率下进行拍照；

提取所述定位区域和阴影区的位置差；

由所述位置差调整电子束位移，在第四放大倍率下再次测量测量点；

进行设定次数的测量。

可选的，对于所述的关键尺寸的测量方法，在第二放大倍率下获得辅助定位点的方法为：

记录由所述定位区域中心到所述测量点的电子束第一位移参数集；

将所述电子束第一位移参数集的元素取相反数得到电子束第二位移参数集；

将所述电子束第二位移参数集赋予测量系统，使得电子束位移，获得辅助定位点。

可选的，对于所述的关键尺寸的测量方法，所述辅助定位点与测量点以定位区域中心呈中心对称。

可选的，对于所述的关键尺寸的测量方法，反复扫描所述辅助定位点的次数为15~30次。

可选的，对于所述的关键尺寸的测量方法，在第三放大倍率下进行拍照时，拍照区域囊括所述阴影区和所述定位区域。

可选的，对于所述的关键尺寸的测量方法，所述由所述位置差调整电子束位移，在第四放大倍率下再次测量测量点包括：

采用传统定位方法结合所述位置差获得电子束第三位移参数集；

将电子束第三位移参数集的元素取相反数得到电子束第四位移参数集；

将所述电子束第四位移参数集赋予测量系统，使得电子束位移，再次测量测量点。

可选的，对于所述的关键尺寸的测量方法，所述第一放大倍率为10000~50000。

可选的，对于所述的关键尺寸的测量方法，所述第二放大倍率为180000~250000。

可选的，对于所述的关键尺寸的测量方法，所述第三放大倍率为2000~5000。

可选的，对于所述的关键尺寸的测量方法，所述第四放大倍率为100000~300000。

可选的，对于所述的关键尺寸的测量方法，所述位置差的值小于等于8μm。

本发明提供的关键尺寸的测量方法中，在获得定位区域后，继续获得与所述测量点以定位区域中心呈中心对称的辅助定位点，并对辅助定位点进行多次扫描以获得用来定位的阴影区并进行拍照，则由照片得到的阴影区和定位区域的中心及二者的位置差就能够精确的确定测量点，如此就避免了多次重复测量过程中容易出现的测量定位漂移的情况发生，故而能够有效的提高测量的有效性。

附图说明

图1为现有技术的关键尺寸的测量方法的示意图；

图2为本发明实施例的关键尺寸的测量方法的流程图；

图3~图8为本发明实施例的关键尺寸的测量方法的示意图。

具体实施方式