[发明专利]CdSe/CIS叠层薄膜太阳电池有效
| 申请号： | 201210485395.X | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102931248A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 黄代绘;李卫 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/0224;H01L31/0687 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610031 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cdse cis 薄膜 太阳电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种CdSe/CIS叠层薄膜太阳电池，其结构为：玻璃/Mo/CIS/CdS/ZnO/调制掺杂ZnO基透明导电氧化物薄膜/CdSe/ZnSe:N/单壁碳纳米管，其特征是：单壁碳纳米管作为叠层电池的透明前电极，调制掺杂ZnO基透明导电氧化物薄膜作为叠层电池的透明接触层。
2.如权利要求1所述的CdSe/CIS叠层薄膜太阳电池，其特征是：所述的调制掺杂ZnO基透明导电氧化物薄膜为MgxZn1-xO:Al/MgxZn1-xO/ZnO顺序的周期性结构单元，周期数为1～200，调制掺杂层中掺杂层和阻挡层中Mg的含量0.1≤x≤0.33，掺杂层中载流子浓度1015～1021cm-3。
3.如权利要求1所述的CdSe/CIS叠层薄膜太阳电池，其特征是：ZnSe：N作为p型窗口层，载流子浓度1×1016～5×1018cm-3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学，未经西南交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210485395.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：加氢生产润滑油基础油的方法
- 下一篇：一种低温钴基费托合成催化剂及制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
