[发明专利]膜形成装置、膜形成方法和要用于它们的掩模单元无效
申请号: | 201210486596.1 | 申请日: | 2012-11-26 |
公开(公告)号: | CN103137901A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 石川信行 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;C23C14/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李晓芳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 装置 方法 用于 它们 单元 | ||
1.一种膜形成装置,包括:
多个掩模单元保持部分,用于分别支持多个掩模单元;
多个对准机构,根据所述多个掩模单元保持部分被设置;和
气相沉积源,
其中通过所述多个对准机构将所述多个掩模单元相对于一个基板一个一个地对准和布置。
2.根据权利要求1所述的膜形成装置,还包括膜形成室和对准室,
其中所述气相沉积源被设置在所述膜形成室中,并且
其中所述多个对准机构设置在所述对准室中。
3.一种用在根据权利要求1所述的膜形成装置中的掩模单元,所述掩模单元包括:
掩模构件,包括开口部分,在所述开口部分中相互并行地布置多个开口图案单元;和
框架,用于固定所述掩模构件,
其中所述框架包括:
两个掩模构件固定部分,每个掩模构件固定部分包括用于固定所述掩模构件的表面;和
支持部分,其在与固定所述掩模构件的一侧相对的一侧被固定到所述两个掩模构件固定部分的每一个的表面,所述支持部分支持所述两个掩模构件固定部分。
4.根据权利要求3所述的掩模单元,其中所述掩模构件包括在行中提供的多个开口图案单元。
5.根据权利要求3所述的掩模单元,其中所述掩模构件具有与要利用所述掩模单元经受膜形成的基板的短边长度对应的长边长度。
6.根据权利要求3所述的掩模单元,其中所述掩模构件包括位于所述掩模构件的长边方向上的两个端部分之一处或位于距所述两个端部分一定距离的位置处的对准标记。
7.一种在基板上形成图案化的膜的膜形成方法,所述膜形成方法包括:
制备多个掩模单元,每个掩模单元包括开口图案单元;
将所述多个掩模单元相对于所述基板一个一个地对准;以及
经由所述多个掩模单元的开口图案单元在所述基板上共同地形成膜。
8.根据权利要求7所述的膜形成方法,其中所述膜形成方法使用根据权利要求1所述的膜形成装置和根据权利要求3所述的掩模单元。
9.根据权利要求8所述的膜形成方法,其中所述对准包括:在所述掩模构件和支持部分之间布置所述基板。
10.一种制造有机电致发光显示装置的方法,所述方法包括:
制备包括电路的基板;以及
在所述基板上形成发射层,
其中所述形成发射层通过根据权利要求7所述的膜形成方法执行。
11.根据权利要求10所述的制造有机电致发光显示装置的方法,其中所述形成发射层利用根据权利要求1所述的膜形成装置执行。
12.根据权利要求10所述的制造有机电致发光显示装置的方法,其中所述形成发射层利用根据权利要求3所述的掩模单元执行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择