[发明专利]电磁屏蔽面板及其制备方法和显示器无效
| 申请号： | 201210486998.1 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102963076A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 郑芳平;张迅;易伟华 | 申请（专利权）人： | 江西沃格光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B32B17/06 | 分类号： | B32B17/06;B32B9/04;C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06;G09F9/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 338004 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电磁 屏蔽 面板 及其 制备 方法 显示器 | ||
1.一种电磁屏蔽面板，其特征在于，包括玻璃基底、设于所述玻璃基底一侧表面的ITO层、设于所述ITO层上的第一SiO2层、设于所述玻璃基底另一侧表面的Nb2O5层及设于所述Nb2O5层上的第二SiO2层。
2.如权利要求1所述的电磁屏蔽面板，其特征在于，所述ITO层的厚度为80~100nm；所述第一SiO2层的厚度为85~95nm；所述第二SiO2层的厚度为117~122nm；所述Nb2O5层的厚度为13~16nm。
3.一种电磁屏蔽面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底一侧表面上镀制ITO层；
使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述ITO层上镀制第一SiO2层；
使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在所述玻璃基底另一侧表面上镀制Nb2O5层；
使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述Nb2O5层上镀制第二SiO2层。
4.如权利要求3所述的电磁屏蔽面板的制备方法，其特征在于，所述使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底一侧表面上镀制ITO层的过程是在直流或中频电源下进行磁控溅射镀膜，其中气体氛围为流量100~200sccm的氩气氛围。
5.如权利要求3所述的电磁屏蔽面板的制备方法，其特征在于，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述ITO层上镀制第一SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ，气体氛围是Ar与O2的混合气体氛围，其中Ar的流量为100~200sccm，O2的流量为80～120sccm。
6.如权利要求3所述的电磁屏蔽面板的制备方法，其特征在于，所述使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在所述玻璃基底另一侧表面上镀制Nb2O5层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ，气体氛围是Ar与O2的混合气体氛围，其中Ar的流量为100~200sccm，O2的流量为80~100sccm。
7.如权利要求3所述的电磁屏蔽面板的制备方法，其特征在于，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述Nb2O5层上镀制第二SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ，气体氛围是Ar与O2的混合气体氛围，其中Ar的流量为100~200sccm，O2的流量为80~120sccm。
8.一种显示器，包括电磁屏蔽面板，其特征在于，所述电磁屏蔽面板包括玻璃基底、设于所述玻璃基底一侧表面的ITO层、设于所述ITO层上的第一SiO2层、设于所述玻璃基底另一侧表面的Nb2O5层及设于所述Nb2O5层上的第二SiO2层。
9.如权利要求8所述的显示器，其特征在于，所述ITO层的厚度为80~100nm；所述第一SiO2层的厚度为85~95nm；所述第二SiO2层的厚度为117~122nm；所述Nb2O5层的厚度为13~16nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西沃格光电科技有限公司，未经江西沃格光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210486998.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
