[发明专利]电磁屏蔽面板及其制备方法和显示器

说明书

技术领域

本发明涉及电磁屏蔽技术领域，特别是涉及一种电磁屏蔽面板及其制备方法和一种含有该电磁屏蔽面板的显示器。

背景技术

传统的电磁屏蔽面板包括玻璃基底及镀于玻璃基底表面上的一层ITO膜，这种电磁屏蔽面板具有一定的电磁屏蔽效果，但其透光效果较差，满足不了一些应用要求。例如，将传统的电磁屏蔽面板应用于液晶显示屏时，其透光效果和视觉效果皆较差；又例如，将传统的电磁屏蔽面板应用于飞机内部时，既要求电磁屏蔽面板具有较好的电磁屏蔽效果，同时还需要电磁屏蔽面板具有较高的透射率，只有这样才使飞行员很好地看到外面的场景，才能满足正常的飞行的需要。而且传统的电磁屏蔽面板中的ITO膜层裸露在外，长时间使用后，容易出现ITO膜层吸水或由于使用不当导致部分ITO膜层刮落，从而导致电磁屏蔽效果下降，进而缩短其使用寿命。

发明内容

基于此，有必要提供一种透射率高且使用寿命较长的电磁屏蔽面板及其制备方法。

一种电磁屏蔽面板，包括玻璃基底、设于所述玻璃基底一侧表面的ITO层、设于所述ITO层上的第一SiO₂层、设于所述玻璃基底另一侧表面的Nb₂O₅层及设于所述Nb₂O₅层上的第二SiO₂层。

在其中一个实施例中，所述ITO层的厚度为80~100nm；所述第一SiO₂层的厚度为85~95nm；所述第二SiO₂层的厚度为117~122nm；所述Nb₂O₅层的厚度为13~16nm。

上述电磁屏蔽面板通过在玻璃基底的一侧表面上镀制ITO层、ITO层上镀制SiO₂层，由于ITO具有电阻率低，透明性好且折射率较高（一般为2.0左右）等优点，而且SiO₂的折射率较低（一般为1.5左右），利用光的衍射原理及光的波动性特性，ITO层与SiO₂层构成两层减反射膜系，在保证电磁屏蔽效果的同时提高了其透射率。为了进一步增进玻璃基底-ITO层-SiO₂层的电磁屏蔽效果和提高其透射率，在玻璃基底的另一侧表面上镀制Nb₂O₅层、在Nb₂O₅层上镀制SiO₂层，Nb₂O₅具有折射率较高（一般为2.3左右）等优点，同样利用光的衍射原理及光的波动性特性，Nb₂O₅层与SiO₂层构成两层减反射膜系，从而形成一种双面高透防电磁屏蔽的电磁屏蔽面板。因此，上述电磁屏蔽面板具有优良的电磁屏蔽效果和高透射率，同时，ITO层外的SiO₂层对ITO层能够起到很好的保护作用，从而上述电磁屏蔽面板具有相对较长的使用寿命。通过测试传统的方阻为15~20欧姆的电磁屏蔽面板和上述方阻为15~20欧姆的电磁屏蔽面板的透射率，透射率分别81%和95%，因此上述设计的电磁屏蔽面板的透射率得到了较大的提高。

一种电磁屏蔽面板的制备方法，包括如下步骤：

使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底一侧表面上镀制ITO层；

使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述ITO层上镀制第一SiO₂层；

使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在所述玻璃基底另一侧表面上镀制Nb₂O₅层；

使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述Nb₂O₅层上镀制第二SiO₂层。

在其中一个实施例中，所述使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底一侧表面上镀制ITO层的过程是在直流或中频电源下进行磁控溅射镀膜，其中气体氛围为流量100~200sccm的氩气氛围。

在其中一个实施例中，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述ITO层上镀制第一SiO₂层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ，气体氛围是Ar与O₂的混合气体氛围，其中Ar的流量为100~200sccm，O₂的流量为80~120sccm。