[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

（a1）第一晶体管，所述第一晶体管耦合在电源节点和第一节点之间；

（a2）第二晶体管，所述第二晶体管耦合在所述第一节点和低电势节点之间；

（a3）第三晶体管，所述第三晶体管耦合在所述电源节点和第二节点之间；

（a4）第四晶体管，所述第四晶体管耦合在所述第二节点和所述低电势节点之间；

（a5）第五晶体管，所述第五晶体管的一端耦合到所述第一节点；

（a6）第六晶体管，所述第六晶体管的一端耦合到所述第二节点；

（b1）第一电阻变化层，所述第一电阻变化层耦合在所述第五晶体管的另一端和第一位线之间；以及

（b2）第二电阻变化层，所述第二电阻变化层耦合在所述第六晶体管的另一端和第二位线之间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

其中，所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层当施加到各个层的两端的电势的电势差大于预定电势时改变它们的电阻。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，

其中，当所述第一位线的电势高于所述第五晶体管的所述另一端的电势时，在所述电势差大于所述预定电势的情况下，所述第一电阻变化层减小电阻并且变成低电阻状态，并且

其中，当所述第二位线的电势高于所述第六晶体管的所述另一端的电势时，在所述电势差大于所述预定电势的情况下，所述第二电阻变化层减小电阻并且变成低电阻状态。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，

其中，当所述第一位线的所述电势低于所述第五晶体管的所述另一端的所述电势时，在所述电势差大于所述预定电势的情况下，所述第一电阻变化层增大电阻并且变成高电阻状态，并且

其中，当所述第二位线的所述电势低于所述第六晶体管的所述另一端的所述电势时，在所述电势差大于所述预定电势的情况下，所述第二电阻变化层增大电阻并且变成高电阻状态。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，

其中，在向所述电源节点施加第一电源时的第一时间段内，所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层处于所述低电阻状态。

6.根据权利要求4所述的半导体存储器件，

其中，在向所述电源节点施加第一电源时的第一时间段内，所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层处于所述低电阻状态，

其中，所述第一节点和所述第二节点的电势能够被分别读取到所述第一位线和所述第二位线，并且

其中，所述第一节点和所述第二节点的电势能够分别经由所述第一位线和所述第二位线被重写。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器件，

其中，响应于所述第一时间段的结束，所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层中的一个被设置成高电阻状态。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，

其中，所述预定电势高于所述第一电源的电势。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，

其中，响应于所述第一时间段的结束，当所述第一节点的所述电势是第一电平并且所述第二节点的所述电势是高于所述第一电平的第二电平时，所述第二电阻变化层被设置成高电阻状态。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，

其中，通过使所述第六晶体管的所述另一端的所述电势高于所述第二位线的所述电势，在所述电势差高于所述预定电势的情况下，所述第二电阻变化层被设置成高电阻状态。

11.根据权利要求10所述的半导体存储器件，

其中，经由所述第一晶体管，所述第六晶体管的所述另一端被提供有第二电势，所述第二电势被施加到所述电源节点并且高于所述第一电源的所述电势。

12.根据权利要求5所述的半导体存储器件，

其中，在向所述电源节点施加低于所述第一电源的电势时的第二时间段内，通过写入操作存储指示所述第一时间段结束时所述第一节点和所述第二节点的电势状态的数据，所述写入操作将所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层中的一个设置成高电阻状态。